IRF9540NSPBF
Код товару: 62471
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 117 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1450/73
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9540NSPBF IR
- MOSFET, P, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.117ohm
- Power Dissipation:140W
- Transistor Case Style:D2-PAK
- Alternate Case Style:D2-PAK
- Case Style:D2-PAK
- Cont Current Id:23A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Power Dissipation Pd:140W
- Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
- Pulse Current Idm:27A
- SMD Marking:IRF9540NS
- Termination Type:SMD
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:-4V
- Voltage Vds:100V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF9540NSPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9540NSPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9540NSPBF | Vishay |
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
IRF9540NSPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9540NSPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF9540NSPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9540NSPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9540NSPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9540NSPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
З цим товаром купують
| TLP627 Код товару: 31733
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: China
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 60/150 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 300 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: -
Робоча температура, °С: -
Кількість каналів: 1
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 60/150 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 300 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: -
Робоча температура, °С: -
Кількість каналів: 1
у наявності: 1444 шт
- 1312 шт - склад
- 94 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 1SMA5929BT3G Код товару: 61984
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SMA
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 25 мА
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SMA
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 25 мА
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -
у наявності: 640 шт
- 383 шт - склад
- 111 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 102 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 44 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.30 грн |
| EL817S(C) Код товару: 122670
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Everlight
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Робоча температура, °С: -55…+110°С
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Робоча температура, °С: -55…+110°С
у наявності: 3862 шт
- 3362 шт - склад
- 84 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 241 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.80 грн |
| 100+ | 5.20 грн |
| 1000+ | 4.70 грн |
| 6,8 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6K8-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2190
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 6,8 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 6,8 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 7968 шт
- 1270 шт - склад
- 4711 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1755 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 232 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| 9,1 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-9K1-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2185
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 9,1 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 9,1 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 15791 шт
- 8850 шт - склад
- 2271 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1800 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1830 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1040 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |








