на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 40.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9540SPBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF9540SPBF за ціною від 77.04 грн до 448.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9540SPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9540SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9540SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 19A P-CH MOSFET |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9540SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9540SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9540SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9540SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9540SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9540SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9540SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9540SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9540SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
D2PAK=TO-263 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |