
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 37.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9540STRLPBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF9540STRLPBF за ціною від 84.60 грн до 227.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 18379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRF9540STRLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |