на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.81 грн |
| 10+ | 56.69 грн |
| 100+ | 48.46 грн |
| 500+ | 48.15 грн |
| 1000+ | 47.61 грн |
| 2000+ | 46.54 грн |
| 5000+ | 46.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9610PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9610PBF-BE3 за ціною від 54.38 грн до 171.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9610PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9610PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товару немає в наявності |