IRF9610PBF IR/Infineon
Код товару: 35442
Виробник: IR/InfineonКорпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності 4 шт:
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF9610PBF IR/Infineon
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9610 Код товару: 174702 |
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 3,0 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 170/11 Монтаж: THT |
у наявності: 81 шт
|
|
Інші пропозиції IRF9610PBF за ціною від 17.09 грн до 120.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; 20W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1A Power dissipation: 20W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; 20W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1A Power dissipation: 20W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 655 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 11270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF9610PBF | IRF9610PBF Транзисторы MOS FET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
З цим товаром купують
IRFP240PBF Код товару: 24070 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товар відсутній
0,47 Ohm 5% 5W вив. (MOR500SJTB-0R47-Hitano) (резистори метало-оксидні) Код товару: 50033 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 5W (метало-оксидні)
Номінал: 0,47 Ohm
Точність: ±5%
Потужність: 5 W
Напруга: 700 V
Розмір: 17,0x6,0mm; Dвив.=0,76 mm
Тип: метало-оксидні
Вивідні резистори > 5W (метало-оксидні)
Номінал: 0,47 Ohm
Точність: ±5%
Потужність: 5 W
Напруга: 700 V
Розмір: 17,0x6,0mm; Dвив.=0,76 mm
Тип: метало-оксидні
у наявності: 1027 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5 грн |
10+ | 4.5 грн |
100+ | 4 грн |
1000+ | 3.4 грн |
4N35 Код товару: 2416 |
Виробник: Liteon
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-6
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 3,5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/100 mA
Uвых,V: 30 V
Ton/Toff,µs: 3/3 µs
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-6
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 3,5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/100 mA
Uвых,V: 30 V
Ton/Toff,µs: 3/3 µs
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
у наявності: 189 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11 грн |
10+ | 9.9 грн |
100+ | 9 грн |
200pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N201J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 2130 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 200 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 200 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 3344 шт
очікується:
8000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.9 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.7 грн |
100pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N101J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 1741 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 4909 шт
очікується:
16000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |