IRF9610PBF IR/Infineon
Код товару: 35442
Виробник: IR/InfineonКорпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності 16 шт:
12 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 32.00 грн |
| 10+ | 28.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF9610PBF IR/Infineon
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9610 Код товару: 174702
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 200 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 3,0 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 170/11 Монтаж: THT |
у наявності: 64 шт
14 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 7 шт - РАДІОМАГ-Харків 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF9610PBF за ціною від 20.49 грн до 201.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF9610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 3677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF9610PBF |
IRF9610PBF Транзисторы MOS FET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |





