IRF9610PBF IR/Infineon
Код товару: 35442
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR/Infineon
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF9610PBF IR/Infineon
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9610 Код товару: 174702
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 200 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 3,0 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 170/11 Монтаж: THT |
у наявності: 64 шт
|
|
| IRF9610 Код товару: 174702
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності: 64 шт
- 14 шт - склад
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 27.00 грн |
Інші пропозиції IRF9610PBF за ціною від 36.61 грн до 242.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 113 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 3677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF9610PBF |
IRF9610PBF Транзисторы MOS FET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 139+ | 102.40 грн |
| 144+ | 98.83 грн |
| IRF9610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 131+ | 108.93 грн |
| 132+ | 107.82 грн |
| 155+ | 91.98 грн |
| 500+ | 73.90 грн |
| 1000+ | 65.60 грн |
| 2000+ | 58.89 грн |
| IRF9610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 109.06 грн |
| 50+ | 107.97 грн |
| 100+ | 92.09 грн |
| 500+ | 73.99 грн |
| 1000+ | 65.69 грн |
| 2000+ | 58.96 грн |
| IRF9610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 123+ | 115.97 грн |
| 155+ | 91.49 грн |
| 500+ | 77.98 грн |
| IRF9610PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 159.31 грн |
| 10+ | 62.62 грн |
| 50+ | 52.45 грн |
| 100+ | 48.50 грн |
| IRF9610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.47 грн |
| 50+ | 74.72 грн |
| 100+ | 67.11 грн |
| 500+ | 50.42 грн |
| 1000+ | 46.39 грн |
| 2000+ | 42.99 грн |
| IRF9610PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 171.08 грн |
| 12+ | 71.69 грн |
| 100+ | 53.12 грн |
| 500+ | 36.61 грн |
| IRF9610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.93 грн |
| 10+ | 99.57 грн |
| 100+ | 69.06 грн |
| 500+ | 58.17 грн |
| 1000+ | 51.53 грн |
| 2000+ | 48.67 грн |
| 5000+ | 46.99 грн |
| IRF9610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 242.38 грн |
| 50+ | 118.10 грн |
| 100+ | 106.05 грн |
| 500+ | 81.88 грн |
| 1000+ | 69.74 грн |
| IRF9610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 242.38 грн |
| IRF9610PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9610PBF |
![]() |
IRF9610PBF Транзисторы MOS FET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)








