IRF9610SPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.92 грн |
| 10+ | 115.51 грн |
| 100+ | 83.95 грн |
| 500+ | 63.41 грн |
| 1000+ | 57.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9610SPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF9610SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.8 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRF9610SPBF за ціною від 57.17 грн до 175.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9610SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9610SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.8 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9610SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 200V 1.8A P-CH MOSFET |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9610SPBF Код товару: 176781
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
IRF9610SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF9610SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF9610SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IRF9610SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |