Інші пропозиції IRF9610SPBF за ціною від 52.61 грн до 199.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9610SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9610SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9610SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.8 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9610SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 200V 1.8A P-CH MOSFET |
на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9610SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRF9610SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |