Продукція > VISHAY > IRF9610SPBF
IRF9610SPBF

IRF9610SPBF VISHAY


VISH-S-A0013329314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9610SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.8 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+117.22 грн
10+ 86.99 грн
100+ 63.11 грн
500+ 52.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9610SPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRF9610SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.8 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

Інші пропозиції IRF9610SPBF за ціною від 50.6 грн до 134.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9610SPBF IRF9610SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9610.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.7 грн
10+ 98.58 грн
100+ 78.44 грн
500+ 62.28 грн
1000+ 52.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610SPBF IRF9610SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9610.pdf MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.18 грн
10+ 108.83 грн
100+ 74.92 грн
250+ 71.63 грн
500+ 63.55 грн
1000+ 53.43 грн
2000+ 50.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9610SPBF
Код товару: 176781
sihf9610.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
IRF9610SPBF IRF9610SPBF Виробник : Vishay sihf9610.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF9610SPBF IRF9610SPBF Виробник : Vishay sihf9610.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF9610SPBF Виробник : VISHAY sihf9610.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9610SPBF Виробник : VISHAY sihf9610.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній