Продукція > VISHAY / SILICONIX > IRF9610STRRPBF

IRF9610STRRPBF Vishay / Siliconix

Name: IRF9610STRRPBF
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 4649267-4
Price: 354.05 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 200V 1.8A N-CH MOSFET

на замовлення 538 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	70.81 грн
10+	56.89 грн
100+	38.46 грн
500+	31.12 грн
800+	25.98 грн
2400+	24.29 грн
4800+	23.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF9610STRRPBF Vishay / Siliconix

Description: N-CHANNEL200V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF9610STRRPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRF9610STRRPBF	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF9610STRRPBF	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF9610STRRPBF	Виробник : VISHAY	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF9610STRRPBF	Виробник : Vishay Siliconix	Description: N-CHANNEL200V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF9610STRRPBF	Виробник : VISHAY	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.