на замовлення 798 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.01 грн |
| 10+ | 50.6 грн |
| 100+ | 34.25 грн |
| 500+ | 27.71 грн |
| 800+ | 23.57 грн |
| 2400+ | 22.57 грн |
| 4800+ | 21.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9610STRRPBF Vishay / Siliconix
Description: N-CHANNEL200V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9610STRRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9610STRRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
IRF9610STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
| IRF9610STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||
 |
IRF9610STRRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL200V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| IRF9610STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |