Технічний опис IRF9620PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9620PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF9620PBF за ціною від 51.70 грн до 202.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9620PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9620PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9620PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9620PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 503 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9620PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 3.5A P-CH MOSFET |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9620PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9620PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9620PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 2709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9620PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |