на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 87.52 грн |
| 10+ | 68.05 грн |
| 100+ | 57.87 грн |
| 500+ | 56.49 грн |
| 1000+ | 50.75 грн |
| 2000+ | 47.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9630PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - IRF9630PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 6.5A, TO-220AB, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції IRF9630PBF-BE3 за ціною від 74.64 грн до 241.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9630PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRF9630PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 6.5A, TO-220ABtariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9630PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9630PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |