IRF9630PBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.60 грн |
| 50+ | 72.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9630PBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF9630PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 6.5A, TO-220AB, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IRF9630PBF-BE3 за ціною від 71.12 грн до 132.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9630PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET |
на замовлення 4948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9630PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9630PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 6.5A, TO-220AB tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9630PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9630PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |