| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.86 грн |
| 10+ | 85.11 грн |
| 100+ | 61.25 грн |
| 500+ | 51.80 грн |
| 1000+ | 46.52 грн |
| 2000+ | 43.49 грн |
| 5000+ | 41.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9630PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - IRF9630PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 6.5A, TO-220AB, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції IRF9630PBF-BE3 за ціною від 70.86 грн до 229.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9630PBF-BE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9630PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9630PBF-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9630PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 6.5A, TO-220AB tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF9630PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 92+ | 154.41 грн |
| 100+ | 147.51 грн |
| 250+ | 141.59 грн |
| 500+ | 131.60 грн |
| IRF9630PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.16 грн |
| 50+ | 110.90 грн |
| 100+ | 100.23 грн |
| 500+ | 76.50 грн |
| 1000+ | 70.86 грн |
| IRF9630PBF-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9630PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 6.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: VISHAY - IRF9630PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 6.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)