Інші пропозиції IRF9630SPBF за ціною від 33.69 грн до 252.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9630SPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630SPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 3696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630SPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -4A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -26A |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630SPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 2489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630SPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9630SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 2813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF9630SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9630SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 418+ | 33.69 грн |
| IRF9630SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 113.40 грн |
| 1000+ | 112.50 грн |
| 2000+ | 108.89 грн |
| IRF9630SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 197.79 грн |
| 5+ | 144.13 грн |
| 10+ | 126.83 грн |
| 50+ | 97.18 грн |
| 100+ | 89.77 грн |
| 250+ | 84.01 грн |
| IRF9630SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 198.00 грн |
| 107+ | 132.44 грн |
| IRF9630SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 237.08 грн |
| 50+ | 115.26 грн |
| 100+ | 104.30 грн |
| 500+ | 79.83 грн |
| 1000+ | 74.04 грн |
| 2000+ | 69.91 грн |
| IRF9630SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 252.59 грн |
| 10+ | 112.94 грн |
| 1000+ | 112.05 грн |
| 2000+ | 104.58 грн |
| IRF9630SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9630SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - IRF9630SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9630SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
MOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)







