Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF9630SPBF

IRF9630SPBF

IRF9630S_SiHF9630S.pdf
Код товару: 176782
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF9630SPBF за ціною від 73.24 грн до 263.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Vishay sihf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.24 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Vishay sihf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.71 грн
50+178.86 грн
100+160.71 грн
500+126.35 грн
1000+111.58 грн
2000+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY IRF9630S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.96 грн
5+146.44 грн
10+128.86 грн
50+98.74 грн
100+91.21 грн
250+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Vishay sihf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.45 грн
79+179.13 грн
100+165.96 грн
250+149.87 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Vishay Siliconix IRF9630S_SiHF9630S.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.56 грн
10+165.76 грн
50+127.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Vishay Semiconductors IRF9630S_SiHF9630S.pdf MOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY VISH-S-A0013329305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9630SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF sihf9630.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
193+73.24 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF sihf9630.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+180.71 грн
50+178.86 грн
100+160.71 грн
500+126.35 грн
1000+111.58 грн
2000+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630S.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+200.96 грн
5+146.44 грн
10+128.86 грн
50+98.74 грн
100+91.21 грн
250+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF sihf9630.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+234.45 грн
79+179.13 грн
100+165.96 грн
250+149.87 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630S_SiHF9630S.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.56 грн
10+165.76 грн
50+127.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630S_SiHF9630S.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF VISH-S-A0013329305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9630SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9630SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.