IRF9630STRLPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 104.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9630STRLPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF9630STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 74W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRF9630STRLPBF за ціною від 78.03 грн до 230.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9630STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9630STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9630STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9630STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9630STRLPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9630STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9630STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 74W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9630STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF9630STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRF9630STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.5A; Idm: -26A; 74W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.5A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 74W Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -26A Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IRF9630STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.5A; Idm: -26A; 74W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.5A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 74W Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -26A Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 |
товар відсутній |