Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9630STRLPBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9630STRLPBF за ціною від 79.18 грн до 339.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9630STRLPBF | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF9630STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 2818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRF9630STRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET |
на замовлення 657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF9630STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF9630STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF9630STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF9630STRLPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 91.63 грн |
| 1600+ | 82.24 грн |
| 2400+ | 79.18 грн |
| IRF9630STRLPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.23 грн |
| 10+ | 163.09 грн |
| 100+ | 113.94 грн |
| IRF9630STRLPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
MOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.65 грн |
| 10+ | 174.25 грн |
| 100+ | 105.44 грн |
| 500+ | 82.40 грн |
| IRF9630STRLPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 47+ | 306.02 грн |
| 67+ | 211.98 грн |
| 112+ | 127.00 грн |
| IRF9630STRLPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 339.26 грн |
| 64+ | 222.08 грн |
| 500+ | 211.68 грн |
| IRF9630STRLPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)