Продукція > VISHAY > IRF9640SPBF
IRF9640SPBF

IRF9640SPBF VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A4E3E20628469&compId=IRF9640SPBF.pdf?ci_sign=e82a71e7efa9b360396899c28be5473ddadea3dd Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.98 грн
17+55.18 грн
45+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9640SPBF VISHAY

Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF9640SPBF за ціною від 62.59 грн до 262.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A4E3E20628469&compId=IRF9640SPBF.pdf?ci_sign=e82a71e7efa9b360396899c28be5473ddadea3dd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.77 грн
17+68.76 грн
45+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9640SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBF IRF9640SPBF
Код товару: 22419
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf9640s.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 A
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Виробник : Vishay sihf9640.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Виробник : Vishay sihf9640.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Виробник : Vishay sihf9640.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Виробник : Vishay Siliconix IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Виробник : Vishay Semiconductors IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf MOSFETs P-Chan 200V 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.