на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9640SPBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF9640SPBF за ціною від 48.1 грн до 171.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9640SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.8A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF9640SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.8A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF9640SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 1232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF9640SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET P-Chan 200V 11 Amp |
на замовлення 1904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF9640SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9640SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF9640SPBF Код товару: 22419 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Uds,V: 200 V Id,A: 11 A Rds(on),Om: 0,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IRF9640SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF9640SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |