Продукція > VISHAY SILICONIX > IRF9640STRLPBF
IRF9640STRLPBF

IRF9640STRLPBF Vishay Siliconix

IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+85.96 грн
1600+77.05 грн
2400+74.13 грн
4000+66.49 грн
5600+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9640STRLPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF9640STRLPBF за ціною від 107.33 грн до 246.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF Vishay Siliconix IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf description Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.35 грн
10+154.31 грн
100+107.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF Vishay Semiconductors IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf description MOSFETs TO263 200V 11A P-CH MOSFET
на замовлення 26594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBF VISHAY IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf description Description: VISHAY - IRF9640STRLPBF - MOSFET, P CH, -200V, -11A, TO-263-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBF description IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf
IRF9640STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.35 грн
10+154.31 грн
100+107.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBF description IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf
IRF9640STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 11A P-CH MOSFET
на замовлення 26594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBF description IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9640STRLPBF - MOSFET, P CH, -200V, -11A, TO-263-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.