Продукція > VISHAY > IRF9Z10PBF
IRF9Z10PBF

IRF9Z10PBF Vishay

irf9z10.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 14 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z10PBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 43W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції IRF9Z10PBF за ціною від 42.22 грн до 168.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF Vishay irf9z10.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF Vishay Siliconix irf9z10.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.70 грн
10+96.99 грн
50+73.40 грн
100+61.74 грн
500+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF Vishay Semiconductors irf9z10.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+168.45 грн
10+81.93 грн
100+63.69 грн
500+50.65 грн
1000+45.74 грн
5000+43.46 грн
10000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF VISHAY VISH-S-A0013187829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF irf9z10.pdf
IRF9Z10PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
258+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF irf9z10.pdf
IRF9Z10PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.70 грн
10+96.99 грн
50+73.40 грн
100+61.74 грн
500+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF irf9z10.pdf
IRF9Z10PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.45 грн
10+81.93 грн
100+63.69 грн
500+50.65 грн
1000+45.74 грн
5000+43.46 грн
10000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF VISH-S-A0013187829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z10PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.