Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z10PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IRF9Z10PBF за ціною від 41.07 грн до 203.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z10PBF | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220ABPackage / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9Z10PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9 |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9Z10PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9Z10PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9Z10PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.93 грн |
| 50+ | 67.91 грн |
| 100+ | 65.59 грн |
| IRF9Z10PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.43 грн |
| 10+ | 73.03 грн |
| 100+ | 55.21 грн |
| 500+ | 45.36 грн |
| 1000+ | 41.63 грн |
| 2000+ | 41.07 грн |
| IRF9Z10PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 203.75 грн |
| 10+ | 98.59 грн |
| 100+ | 84.60 грн |
| IRF9Z10PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)