на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.40 грн |
| 10+ | 124.14 грн |
| 100+ | 73.38 грн |
| 500+ | 61.00 грн |
| 1000+ | 52.62 грн |
| 2000+ | 50.58 грн |
| 5000+ | 49.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z14LPBF Vishay / Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9Z14LPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z14LPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |