Продукція > VISHAY > IRF9Z14SPBF
IRF9Z14SPBF

IRF9Z14SPBF Vishay

sihf9z14.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+33.34 грн
50+33.31 грн
100+32.95 грн
500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z14SPBF Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRF9Z14SPBF за ціною від 31.52 грн до 182.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9Z14SPBF IRF9Z14SPBF Vishay sihf9z14.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+33.40 грн
428+33.02 грн
500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBF IRF9Z14SPBF Vishay Siliconix sihf9z14.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.22 грн
10+113.04 грн
50+86.03 грн
100+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBF IRF9Z14SPBF Vishay Semiconductors sihf9z14.pdf MOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBF sihf9z14.pdf
IRF9Z14SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
423+33.40 грн
428+33.02 грн
500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBF sihf9z14.pdf
IRF9Z14SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.22 грн
10+113.04 грн
50+86.03 грн
100+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBF sihf9z14.pdf
IRF9Z14SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.