Продукція > VISHAY SILICONIX > IRF9Z14STRLPBF
IRF9Z14STRLPBF

IRF9Z14STRLPBF Vishay Siliconix

sihf9z14.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.47 грн
10+87.91 грн
100+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z14STRLPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF9Z14STRLPBF за ціною від 38.16 грн до 139.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z14STRLPBF IRF9Z14STRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9z14.pdf MOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 6611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.51 грн
10+100.73 грн
100+60.86 грн
500+45.77 грн
800+40.21 грн
2400+38.62 грн
4800+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBF IRF9Z14STRLPBF Виробник : Vishay sihf9z14.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBF IRF9Z14STRLPBF Виробник : Vishay sihf9z14.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBF Виробник : VISHAY sihf9z14.pdf IRF9Z14STRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBF IRF9Z14STRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9z14.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.