Продукція > VISHAY SILICONIX > IRF9Z20PBF
IRF9Z20PBF

IRF9Z20PBF Vishay Siliconix

sihf9z20.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.74 грн
50+68.80 грн
100+67.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z20PBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRF9Z20PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.7 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRF9Z20PBF за ціною від 56.70 грн до 150.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z20PBF IRF9Z20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0011280554-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z20PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.7 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.42 грн
10+96.00 грн
100+82.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBF IRF9Z20PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9z20.pdf MOSFETs P-Chan 50V 9.7 Amp
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.19 грн
10+99.27 грн
100+75.16 грн
500+64.67 грн
1000+57.30 грн
2000+57.00 грн
5000+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBF IRF9Z20PBF Виробник : Vishay sihf9z20.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBF IRF9Z20PBF Виробник : Vishay sihf9z20.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBF IRF9Z20PBF Виробник : Vishay sihf9z20.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBF Виробник : VISHAY sihf9z20.pdf IRF9Z20PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.