IRF9Z20PBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.74 грн |
| 50+ | 68.02 грн |
| 100+ | 66.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z20PBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF9Z20PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.7 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRF9Z20PBF за ціною від 56.06 грн до 148.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z20PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z20PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.7 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9Z20PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 50V 9.7 Amp |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9Z20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9Z20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF9Z20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF9Z20PBF | Виробник : VISHAY |
IRF9Z20PBF THT P channel transistors |
товару немає в наявності |