IRF9Z20PBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z20PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.7 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - IRF9Z20PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.7 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 93.62 грн |
11+ | 68.3 грн |
100+ | 55.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z20PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z20PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.7 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.
Інші пропозиції IRF9Z20PBF за ціною від 49.8 грн до 122.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9Z20PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET P-Chan 50V 9.7 Amp |
на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z20PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z20PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF9Z20PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9Z20PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9Z20PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.7A; Idm: -39A; 40W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -9.7A Pulsed drain current: -39A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9Z20PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.7A; Idm: -39A; 40W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -9.7A Pulsed drain current: -39A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |