IRF9Z24 Siliconix
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 25.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z24 Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9Z24
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9Z24 Код товару: 1329
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 12 A Rds(on),Om: 0,175 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
![]() |
IRF9Z24 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF9Z24 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF9Z24 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |