IRF9Z24PBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.61 грн |
| 50+ | 65.32 грн |
| 100+ | 62.68 грн |
| 500+ | 54.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z24PBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9Z24PBF-BE3 за ціною від 54.96 грн до 162.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z24PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 P CHAN 60V |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9Z24PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 11A |
товару немає в наявності |