| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 111+ | 116.41 грн |
| 156+ | 83.01 грн |
| 166+ | 77.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z24PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF9Z24PBF за ціною від 46.78 грн до 193.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z24PBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Kind of package: tube |
на замовлення 166 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z24PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 P-CH 60V 11A |
на замовлення 1788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z24PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z24PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 3466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF9Z24PBF |
IRF9Z24PBF Транзисторы MOS FET |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9Z24PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF9Z24PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |