Продукція > VISHAY > IRF9Z24SPBF
IRF9Z24SPBF

IRF9Z24SPBF Vishay

sihf9z24.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+134.59 грн
108+133.24 грн
130+110.50 грн
500+93.47 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 107 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z24SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 60W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.

Інші пропозиції IRF9Z24SPBF за ціною від 67.00 грн до 267.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+157.55 грн
107+133.45 грн
117+122.79 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.64 грн
10+112.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY IRF9Z24S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.36 грн
10+85.85 грн
50+72.79 грн
100+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay Siliconix sihf9z24.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.17 грн
10+129.38 грн
50+99.05 грн
100+83.77 грн
500+67.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay Semiconductors sihf9z24.pdf MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+215.49 грн
10+112.95 грн
100+85.75 грн
500+71.83 грн
1000+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+267.72 грн
10+134.71 грн
50+133.36 грн
100+106.66 грн
500+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY VISH-S-A0010924822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+157.55 грн
107+133.45 грн
117+122.79 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+159.64 грн
10+112.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24S.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+176.36 грн
10+85.85 грн
50+72.79 грн
100+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.17 грн
10+129.38 грн
50+99.05 грн
100+83.77 грн
500+67.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.49 грн
10+112.95 грн
100+85.75 грн
500+71.83 грн
1000+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+267.72 грн
10+134.71 грн
50+133.36 грн
100+106.66 грн
500+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF VISH-S-A0010924822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z24SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.