Продукція > VISHAY > IRF9Z24SPBF
IRF9Z24SPBF

IRF9Z24SPBF Vishay

sihf9z24.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+125.13 грн
118+119.86 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z24SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 60W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.

Інші пропозиції IRF9Z24SPBF за ціною від 66.11 грн до 293.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.89 грн
107+132.54 грн
129+109.92 грн
500+92.98 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY IRF9Z24S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.88 грн
10+72.80 грн
50+69.45 грн
100+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay Siliconix sihf9z24.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.29 грн
10+133.68 грн
50+102.35 грн
100+86.56 грн
500+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.88 грн
10+135.83 грн
50+134.47 грн
100+107.54 грн
500+87.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.88 грн
10+190.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay Semiconductors sihf9z24.pdf MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY VISH-S-A0010924822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+133.89 грн
107+132.54 грн
129+109.92 грн
500+92.98 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24S.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.88 грн
10+72.80 грн
50+69.45 грн
100+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.29 грн
10+133.68 грн
50+102.35 грн
100+86.56 грн
500+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+269.88 грн
10+135.83 грн
50+134.47 грн
100+107.54 грн
500+87.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+293.88 грн
10+190.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF VISH-S-A0010924822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z24SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.