Продукція > VISHAY > IRF9Z24SPBF
IRF9Z24SPBF

IRF9Z24SPBF Vishay

sihf9z24.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+105.26 грн
138+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z24SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції IRF9Z24SPBF за ціною від 55.96 грн до 289.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : VISHAY IRF9Z24S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.32 грн
10+61.80 грн
50+58.46 грн
100+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+134.82 грн
105+133.48 грн
139+100.54 грн
500+88.65 грн
1000+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+134.95 грн
50+133.60 грн
100+100.64 грн
500+88.74 грн
1000+78.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9z24.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.63 грн
50+99.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9z24.pdf MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.75 грн
10+101.33 грн
100+65.01 грн
500+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.32 грн
10+119.80 грн
100+97.14 грн
500+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.94 грн
50+143.97 грн
100+129.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+289.94 грн
97+143.97 грн
108+129.75 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.