Продукція > VISHAY > IRF9Z24SPBF
IRF9Z24SPBF

IRF9Z24SPBF Vishay

sihf9z24.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z24SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9Z24SPBF за ціною від 33.25 грн до 131.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+73.90 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+76.24 грн
163+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+79.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.46 грн
6+68.88 грн
10+64.13 грн
27+34.84 грн
74+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9z24.pdf MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.95 грн
10+70.10 грн
100+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9z24.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.46 грн
50+65.93 грн
100+65.67 грн
500+61.60 грн
1000+61.57 грн
2000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.75 грн
5+85.83 грн
10+76.95 грн
27+41.80 грн
74+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.19 грн
11+78.53 грн
100+76.91 грн
500+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+131.55 грн
10+81.45 грн
100+80.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.