Продукція > VISHAY > IRF9Z24SPBF
IRF9Z24SPBF

IRF9Z24SPBF Vishay

sihf9z24.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z24SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRF9Z24SPBF за ціною від 29.62 грн до 128.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : VISHAY IRF9Z24S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.29 грн
9+ 40.23 грн
10+ 34.89 грн
26+ 31.22 грн
71+ 29.83 грн
250+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : VISHAY IRF9Z24S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.75 грн
6+ 50.14 грн
10+ 41.87 грн
26+ 37.46 грн
71+ 35.79 грн
250+ 35.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+81.68 грн
10+ 72.84 грн
100+ 68.96 грн
250+ 66.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+82.66 грн
10+ 67.77 грн
100+ 61.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
133+87.97 грн
149+ 78.44 грн
158+ 74.26 грн
250+ 71.41 грн
Мінімальне замовлення: 133
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9z24.pdf MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.32 грн
10+ 98.03 грн
100+ 69.92 грн
500+ 62.53 грн
1000+ 57.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9z24.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.5 грн
50+ 98.97 грн
100+ 81.43 грн
500+ 64.66 грн
1000+ 54.87 грн
2000+ 52.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+128.49 грн
10+ 98.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній