Продукція > VISHAY > IRF9Z24SPBF
IRF9Z24SPBF

IRF9Z24SPBF VISHAY

IRF9Z24S.pdf Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.25 грн
50+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z24SPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF9Z24SPBF за ціною від 54.29 грн до 310.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+78.34 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+83.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : VISHAY IRF9Z24S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 173 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.30 грн
50+72.03 грн
1000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+97.13 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9z24.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.71 грн
50+92.42 грн
100+83.31 грн
500+63.17 грн
1000+58.35 грн
2000+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9z24.pdf MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.68 грн
10+95.46 грн
100+69.97 грн
500+62.56 грн
1000+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+209.68 грн
10+100.04 грн
100+84.03 грн
500+77.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+286.89 грн
91+142.22 грн
101+128.18 грн
500+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+310.51 грн
50+153.93 грн
100+138.74 грн
500+108.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Виробник : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.