IRF9Z30PBF


irl620.pdf
Код товару: 40285
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,14 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 900/28
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 5 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+65.00 грн
10+59.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z30PBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-18A
  • Drain Source Voltage, Vds:-50V
  • On Resistance, Rds(on):0.093ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:74W

Інші пропозиції IRF9Z30PBF за ціною від 79.39 грн до 292.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay Siliconix irl620.pdf description Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.51 грн
50+99.50 грн
100+84.97 грн
500+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay irf9z30.pdf description Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+255.22 грн
84+168.24 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay irf9z30.pdf description Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.01 грн
10+188.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF VISHAY VISH-S-A0019267820-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf description MOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay irf9z30.pdf description Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF description irl620.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.51 грн
50+99.50 грн
100+84.97 грн
500+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF description irf9z30.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+255.22 грн
84+168.24 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF description irf9z30.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+292.01 грн
10+188.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF description VISH-S-A0019267820-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF description irl620.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF description irf9z30.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.