Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF9Z30PBF
IRF9Z30PBF

IRF9Z30PBF

irl620.pdf
Код товару: 40285
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Id,A: 18 A
Rds(on),Om: 0,14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 900/28
Монтаж: THT
у наявності 6 шт:
5 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+65.00 грн
10+59.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z30PBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-18A
  • Drain Source Voltage, Vds:-50V
  • On Resistance, Rds(on):0.093ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:74W

Інші пропозиції IRF9Z30PBF за ціною від 18.73 грн до 194.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay irf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+73.67 грн
37+19.21 грн
38+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.40 грн
50+104.54 грн
100+89.27 грн
500+83.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 P CHAN 60V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.75 грн
10+106.23 грн
100+87.86 грн
500+84.11 грн
1000+83.36 грн
2000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : VISHAY irl620.pdf Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.60 грн
10+166.80 грн
100+88.46 грн
500+79.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay irf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay irf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay irf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay sihf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF Виробник : VISHAY irl620.pdf IRF9Z30PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.