IRF9Z30PBF
Код товару: 40285
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,14 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 900/28
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z30PBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current, Id:-18A
- Drain Source Voltage, Vds:-50V
- On Resistance, Rds(on):0.093ohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
- Power Dissipation, Pd:74W
Інші пропозиції IRF9Z30PBF за ціною від 79.39 грн до 292.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9Z30PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF9Z30PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF9Z30PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF9Z30PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 74W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRF9Z30PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 P-CH 50V 18A |
на замовлення 1685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRF9Z30PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 33 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF9Z30PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 175.51 грн |
| 50+ | 99.50 грн |
| 100+ | 84.97 грн |
| 500+ | 79.39 грн |
| IRF9Z30PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 255.22 грн |
| 84+ | 168.24 грн |
| IRF9Z30PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 292.01 грн |
| 10+ | 188.72 грн |
| IRF9Z30PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9Z30PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
MOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF9Z30PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







