на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 249+ | 49.04 грн |
| 252+ | 48.45 грн |
| 500+ | 48.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z34PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF9Z34PBF за ціною від 23.10 грн до 160.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF9Z34PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 7710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9Z34PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9Z34PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 7710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9Z34PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -18A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 34nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of package: tube |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9Z34PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9Z34PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9Z34PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -18A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 34nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9Z34PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9Z34PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9Z34PBF Код товару: 49507
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Id,A: 13 A Rds(on),Om: 0,14 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||
 |
IRF9Z34PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |