Інші пропозиції IRF9Z34PBF за ціною від 58.57 грн до 251.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9Z34PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9Z34PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -18A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 34nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of package: tube |
на замовлення 546 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9Z34PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9Z34PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 1199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9Z34PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A |
на замовлення 4319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF9Z34PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF9Z34PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF9Z34PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 117.77 грн |
| 10+ | 94.28 грн |
| IRF9Z34PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of package: tube
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of package: tube
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 155.00 грн |
| 10+ | 87.03 грн |
| 50+ | 74.47 грн |
| 100+ | 69.45 грн |
| 250+ | 62.76 грн |
| 500+ | 58.57 грн |
| IRF9Z34PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 156.74 грн |
| 106+ | 134.35 грн |
| 113+ | 125.13 грн |
| 250+ | 109.23 грн |
| 500+ | 94.08 грн |
| IRF9Z34PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 251.83 грн |
| 50+ | 122.15 грн |
| 100+ | 110.48 грн |
| 500+ | 84.48 грн |
| 1000+ | 78.31 грн |
| IRF9Z34PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF9Z34PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9Z34PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








