Технічний опис IRF9Z34PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IRF9Z34PBF за ціною від 23.10 грн до 249.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z34PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z34PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -18A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 34nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of package: tube |
на замовлення 546 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z34PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A |
на замовлення 5609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z34PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9Z34PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IRF9Z34PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IRF9Z34PBF Код товару: 49507
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Id,A: 13 A Rds(on),Om: 0,14 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
| IRF9Z34PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = -20, Id = -18, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ -25, Qg, нКл = 34, Rds = 0,14 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = -3,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |