Продукція > VISHAY > IRF9Z34STRLPBF
IRF9Z34STRLPBF

IRF9Z34STRLPBF Vishay


sihf9z34.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+68.53 грн
185+67.42 грн
188+66.31 грн
191+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z34STRLPBF Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF9Z34STRLPBF за ціною від 51.33 грн до 271.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+72.24 грн
25+71.05 грн
100+67.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9z34.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+97.02 грн
1600+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9z34.pdf MOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.00 грн
10+133.24 грн
100+78.26 грн
500+63.61 грн
800+57.62 грн
2400+51.79 грн
4800+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9z34.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.41 грн
10+171.60 грн
100+120.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF Виробник : VISHAY sihf9z34.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.