IRF9Z34STRLPBF

IRF9Z34STRLPBF Vishay Siliconix


sihf9z34.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+98.91 грн
1600+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z34STRLPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF9Z34STRLPBF за ціною від 53.55 грн до 277.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9z34.pdf MOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.85 грн
10+134.39 грн
100+79.88 грн
500+66.36 грн
800+58.27 грн
2400+54.03 грн
4800+53.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+218.20 грн
88+145.48 грн
89+142.81 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.28 грн
10+158.08 грн
100+107.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9z34.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.07 грн
10+174.93 грн
100+122.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Виробник : Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF Виробник : VISHAY sihf9z34.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.