IRFB11N50APBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 273.92 грн |
| 10+ | 172.48 грн |
| 50+ | 133.32 грн |
| 100+ | 113.27 грн |
| 500+ | 92.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB11N50APBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB11N50APBF-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB11N50APBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB11N50APBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)