Інші пропозиції IRFB11N50APBF за ціною від 22.30 грн до 249.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRFB11N50APBF |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |