Інші пропозиції IRFB11N50APBF за ціною від 94.05 грн до 1681.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB11N50APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB11N50APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
на замовлення 502 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB11N50APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFB11N50APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFB11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFB11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 94.05 грн |
| IRFB11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 180.07 грн |
| 80+ | 178.27 грн |
| 104+ | 136.11 грн |
| 500+ | 129.94 грн |
| 1000+ | 116.26 грн |
| IRFB11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 182.45 грн |
| 50+ | 180.62 грн |
| 100+ | 137.90 грн |
| 500+ | 131.65 грн |
| 1000+ | 117.79 грн |
| IRFB11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.53 грн |
| 10+ | 172.87 грн |
| 50+ | 133.62 грн |
| 100+ | 113.52 грн |
| IRFB11N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 994.59 грн |
| 10+ | 534.15 грн |
| 50+ | 402.09 грн |
| 100+ | 385.16 грн |
| 200+ | 368.23 грн |
| 250+ | 362.31 грн |
| 500+ | 342.84 грн |
| IRFB11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1681.96 грн |
| 15+ | 972.03 грн |
| 50+ | 732.32 грн |
| 100+ | 675.68 грн |
| 200+ | 598.58 грн |
| 250+ | 564.48 грн |
| 500+ | 535.13 грн |
| IRFB11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB11N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








