IRFB11N50APBF


91094.pdf
Код товару: 27308
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB11N50APBF за ціною від 22.66 грн до 996.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.99 грн
33+23.12 грн
34+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+196.50 грн
10+119.68 грн
25+117.83 грн
50+112.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.97 грн
94+151.81 грн
100+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay Semiconductors 91094.pdf MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.49 грн
10+131.31 грн
100+85.99 грн
1000+80.35 грн
2000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay Siliconix 91094.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.94 грн
50+123.18 грн
100+111.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY IRFB11N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 507 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+996.81 грн
10+535.34 грн
50+402.99 грн
100+386.02 грн
200+369.05 грн
250+363.12 грн
500+343.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF 91094.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+99.99 грн
33+23.12 грн
34+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF 91094.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+196.50 грн
10+119.68 грн
25+117.83 грн
50+112.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF 91094.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
71+201.97 грн
94+151.81 грн
100+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF 91094.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+224.49 грн
10+131.31 грн
100+85.99 грн
1000+80.35 грн
2000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF 91094.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+252.94 грн
50+123.18 грн
100+111.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 507 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+996.81 грн
10+535.34 грн
50+402.99 грн
100+386.02 грн
200+369.05 грн
250+363.12 грн
500+343.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF 91094.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF 91094.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.