Інші пропозиції IRFB17N50LPBF за ціною від 181.00 грн до 495.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB17N50LPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB17N50LPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 16A N-CH MOSFET |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB17N50LPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 495.17 грн |
| 50+ | 254.79 грн |
| 100+ | 233.29 грн |
| 500+ | 183.63 грн |
| 1000+ | 181.00 грн |
| IRFB17N50LPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 16A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




