Інші пропозиції IRFB17N50LPBF за ціною від 64.14 грн до 649.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 16A N-CH MOSFET |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V |
на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB17N50LPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB17N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 16 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 16 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 220 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 220 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 16 А, Ptot, Вт = 220, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2760 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 320 мОм @ 9,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220A кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |