Інші пропозиції IRFB18N50KPBF за ціною від 99.99 грн до 220.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB18N50KPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFB18N50KPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB18N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.29 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm |
на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB18N50KPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 220.54 грн |
| 10+ | 108.30 грн |
| 100+ | 99.99 грн |
| IRFB18N50KPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 64+ | 220.82 грн |
| 131+ | 108.45 грн |
| 141+ | 100.11 грн |
| IRFB18N50KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFB18N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
Description: VISHAY - IRFB18N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




