IRFB20N50KPBF Vishay
на замовлення 79 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 210.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB20N50KPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 280W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB20N50KPBF за ціною від 136.80 грн до 283.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB20N50KPBF | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IRFB20N50KPBF Код товару: 35981
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2870/110 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|||||||||
![]() |
IRFB20N50KPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRFB20N50KPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRFB20N50KPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRFB20N50KPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |