Продукція > VISHAY > IRFB20N50KPBF
IRFB20N50KPBF

IRFB20N50KPBF VISHAY

IRFB20N50K.pdf Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.36 грн
3+167.02 грн
8+115.16 грн
22+109.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB20N50KPBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 280W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFB20N50KPBF за ціною від 130.87 грн до 257.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Виробник : VISHAY IRFB20N50K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.23 грн
3+208.13 грн
8+138.19 грн
22+130.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF Виробник : Vishay irfb20n50k.pdf Транзистор польовий TO220AB N-Ch MOSFET; Uds = 500V; Ids =12A; 280W
на замовлення 79 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.15 грн
10+171.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF
Код товару: 35981
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Vishay irfb20n50k.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2870/110
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Виробник : Vishay irfb20n50k.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Виробник : Vishay irfb20n50k.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Виробник : Vishay Siliconix irfb20n50k.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Виробник : Vishay Semiconductors irfb20n50k.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.