IRFB3206PBF
Код товару: 34412
5
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 210 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 95.00 грн |
| 10+ | 88.00 грн |
| 100+ | 82.50 грн |
| 1000+ | 74.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB3206PBF за ціною від 58.87 грн до 251.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3206PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 682 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
на замовлення 1424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 102.70 грн |
| 2000+ | 100.79 грн |
| IRFB3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 103.21 грн |
| 2000+ | 101.28 грн |
| IRFB3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 682 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 176.79 грн |
| 10+ | 117.73 грн |
| 30+ | 92.86 грн |
| 50+ | 82.91 грн |
| 100+ | 72.13 грн |
| 250+ | 63.84 грн |
| 500+ | 58.87 грн |
| IRFB3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 72+ | 196.68 грн |
| 75+ | 189.18 грн |
| 100+ | 182.76 грн |
| 250+ | 170.89 грн |
| 500+ | 153.93 грн |
| 1000+ | 144.16 грн |
| IRFB3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 251.26 грн |
| 10+ | 183.97 грн |
| 100+ | 78.81 грн |
| 500+ | 75.24 грн |
| 1000+ | 68.97 грн |
| 2000+ | 65.55 грн |
| IRFB3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 251.26 грн |
| 77+ | 183.97 грн |
| 180+ | 78.81 грн |
| 500+ | 75.24 грн |
| 1000+ | 68.97 грн |
| 2000+ | 65.55 грн |
| IRFB3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1141 шт
- 1043 шт - склад
- 27 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| BZX55-C11 Код товару: 30133
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 11 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 7,7 мВ/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 11 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 7,7 мВ/K
у наявності: 5223 шт
- 4810 шт - склад
- 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 115 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 92 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 193 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| L7812ACV Код товару: 33693
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 12 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Тип виходу: Фіксований
Монтаж: THT
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 12 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Тип виходу: Фіксований
Монтаж: THT
у наявності: 473 шт
- 433 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
- 30 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 9.70 грн |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 259291 шт
- 229540 шт - склад
- 14151 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9500 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 300 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 5800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| LM317T-DG Код товару: 150592
12
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 40 В
Напруга виходу Uout, В: 1,2...37 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,25 В
Тип виходу: Регульований
Темп. діапазон: 0...125°С
Монтаж: THT
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 40 В
Напруга виходу Uout, В: 1,2...37 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,25 В
Тип виходу: Регульований
Темп. діапазон: 0...125°С
Монтаж: THT
у наявності: 1809 шт
- 1678 шт - склад
- 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.40 грн |
| 100+ | 12.90 грн |








