Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3206PBF
IRFB3206PBF

IRFB3206PBF

irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
Код товару: 34412
Виробник: IR
Uds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності 388 шт:
296 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
32 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+95.00 грн
10+88.00 грн
100+82.50 грн
1000+74.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB3206PBF за ціною від 50.10 грн до 198.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+82.52 грн
50+81.70 грн
100+78.20 грн
500+70.00 грн
1000+64.76 грн
2000+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+98.76 грн
152+80.38 грн
163+74.72 грн
500+63.93 грн
1000+55.65 грн
4000+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+136.45 грн
95+128.51 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.48 грн
50+90.63 грн
100+87.78 грн
500+66.65 грн
1000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3206_DataSheet_v01_01_EN-3363307.pdf MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
на замовлення 14929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.58 грн
10+110.30 грн
100+81.27 грн
250+76.87 грн
500+70.94 грн
1000+66.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.08 грн
14+67.88 грн
37+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.19 грн
10+136.34 грн
100+102.66 грн
500+78.55 грн
1000+67.09 грн
5000+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.10 грн
14+84.58 грн
37+76.87 грн
2000+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5977 шт
5587 шт - склад
53 шт - РАДІОМАГ-Київ
35 шт - РАДІОМАГ-Львів
49 шт - РАДІОМАГ-Харків
156 шт - РАДІОМАГ-Одеса
97 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZV85-C15
Код товару: 23982
Додати до обраних Обраний товар

BZV85.pdf
BZV85-C15
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 15mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.9 до 13.6mV/K
у наявності: 959 шт
363 шт - склад
155 шт - РАДІОМАГ-Київ
103 шт - РАДІОМАГ-Львів
133 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Одеса
160 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1526
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 10350 шт
2200 шт - склад
3250 шт - РАДІОМАГ-Львів
4900 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість Ціна
100+0.15 грн
1000+0.12 грн
10000+0.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N4742A
Код товару: 29770
Додати до обраних Обраний товар

1N4728A-1N4764A.pdf
1N4742A
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 21mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.045 до 0.085 %/°C
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+1.70 грн
100+1.30 грн
1000+1.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55-C11
Код товару: 30133
Додати до обраних Обраний товар

BZX55.pdf
BZX55-C11
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 11 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 7.7mV/K
у наявності: 5647 шт
4995 шт - склад
62 шт - РАДІОМАГ-Київ
115 шт - РАДІОМАГ-Львів
112 шт - РАДІОМАГ-Харків
160 шт - РАДІОМАГ-Одеса
203 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.