IRFB3206PBF
Код товару: 34412
Виробник: IRUds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності 277 шт:
155 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
41 шт - РАДІОМАГ-Одеса
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 95 грн |
10+ | 88 грн |
100+ | 82.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB3206PBF за ціною від 48.96 грн до 170.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 20560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 211000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg |
на замовлення 22019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
на замовлення 25717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 191 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
З цим товаром купують
STP100N6F7 Код товару: 113452 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 52 грн |
10+ | 47 грн |
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1526 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 22700 шт
очікується:
40000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |
Реле G2R-1-E 24 VDC (G2R-1-E-24DC) Код товару: 26381 |
Виробник: Omron
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20А)
Опис: Реле загального призначення
Напруга котушки: 24 VDC
Струм макс.: 16 A
Конфігурація контактів: SPDT(1C)
Напруга перемикання: 250 VAC; 30 VDC
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20А)
Опис: Реле загального призначення
Напруга котушки: 24 VDC
Струм макс.: 16 A
Конфігурація контактів: SPDT(1C)
Напруга перемикання: 250 VAC; 30 VDC
у наявності: 204 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 92 грн |
10+ | 85 грн |
100+ | 78.5 грн |
2200uF 50V EHL 25x25mm (EHL222M50BB-Hitano) електролітичний конденсатор Код товару: 153813 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHL
Тип: Низький ESR (Equivalent Series Resistance) і довгий термін служби c широким діапазоном температур. Жорсткі виводи
Темп.діап.: ...+105°C
Габарити: 25х25mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHL
Тип: Низький ESR (Equivalent Series Resistance) і довгий термін служби c широким діапазоном температур. Жорсткі виводи
Темп.діап.: ...+105°C
Габарити: 25х25mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 242 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 48 грн |
10+ | 43.5 грн |
100+ | 39.9 грн |
SR10100L Код товару: 160639 |
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 10 А
Падіння напруги, Vf: 0,75 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 10 А
Падіння напруги, Vf: 0,75 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 165 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |