Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3206PBF
IRFB3206PBF

IRFB3206PBF

irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
Код товару: 34412
4 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 210 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності: 407 шт
  • 312 шт - склад
  • 95 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 26 шт
  • 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+95.00 грн
10+88.00 грн
100+82.50 грн
1000+74.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB3206PBF за ціною від 58.87 грн до 239.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.35 грн
2000+95.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.79 грн
10+117.73 грн
30+92.86 грн
50+82.91 грн
100+72.13 грн
250+63.84 грн
500+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+196.68 грн
75+189.18 грн
100+182.76 грн
250+170.89 грн
500+153.93 грн
1000+144.16 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.97 грн
10+135.81 грн
100+93.87 грн
500+71.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.47 грн
10+178.35 грн
100+78.70 грн
500+75.13 грн
1000+68.87 грн
2000+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+239.47 грн
80+178.35 грн
180+78.70 грн
500+75.13 грн
1000+68.87 грн
2000+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irl3803vpbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+101.35 грн
2000+95.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irl3803vpbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+176.79 грн
10+117.73 грн
30+92.86 грн
50+82.91 грн
100+72.13 грн
250+63.84 грн
500+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irl3803vpbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+196.68 грн
75+189.18 грн
100+182.76 грн
250+170.89 грн
500+153.93 грн
1000+144.16 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.97 грн
10+135.81 грн
100+93.87 грн
500+71.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irl3803vpbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+239.47 грн
10+178.35 грн
100+78.70 грн
500+75.13 грн
1000+68.87 грн
2000+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irl3803vpbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+239.47 грн
80+178.35 грн
180+78.70 грн
500+75.13 грн
1000+68.87 грн
2000+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
17 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1118 шт
  • 1008 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 3000 шт
  • 3000 шт - очікується 13.08.2026
на замовлення: 120 шт
  • 120 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
4 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 240091 шт
  • 211440 шт - склад
  • 13551 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9400 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
8,2 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-8K2-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1787
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
8,2 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-8K2-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 8,2 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 2898 шт
  • 2722 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 176 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20000 шт
  • 20000 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L7812ACV
Код товару: 33693
4 Додати до обраних Обраний товар
description cd00000444-249828.pdf
L7812ACV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 12 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Тип виходу: Фіксований
Монтаж: THT
у наявності: 484 шт
  • 421 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.00 грн
10+10.80 грн
100+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Код товару: 48855
10 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 58337 шт
  • 57468 шт - склад
  • 432 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 437 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.