IRFB3206PBF
Код товару: 34412
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності 247 шт:
203 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 95.00 грн |
| 10+ | 88.00 грн |
| 100+ | 82.50 грн |
| 1000+ | 74.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB3206PBF за ціною від 56.89 грн до 208.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg |
на замовлення 5767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 4217 шт
3962 шт - склад
57 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
186 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
57 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
186 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
100 шт
100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| BZV85-C15 Код товару: 23982
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 15mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.9 до 13.6mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 15mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.9 до 13.6mV/K
у наявності: 507 шт
183 шт - склад
87 шт - РАДІОМАГ-Київ
63 шт - РАДІОМАГ-Львів
66 шт - РАДІОМАГ-Харків
108 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
87 шт - РАДІОМАГ-Київ
63 шт - РАДІОМАГ-Львів
66 шт - РАДІОМАГ-Харків
108 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 2.00 грн |
| 27+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| 10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1526
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 33840 шт
23340 шт - склад
4100 шт - РАДІОМАГ-Київ
1900 шт - РАДІОМАГ-Львів
4500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4100 шт - РАДІОМАГ-Київ
1900 шт - РАДІОМАГ-Львів
4500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 0.15 грн |
| 1000+ | 0.12 грн |
| 10000+ | 0.09 грн |
| 1N4742A Код товару: 29770
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 21mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.045 до 0.085 %/°C
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 21mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.045 до 0.085 %/°C
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.10 грн |
| BZX55-C11 Код товару: 30133
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 11 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 7.7mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 11 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 7.7mV/K
у наявності: 5273 шт
4815 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
115 шт - РАДІОМАГ-Львів
112 шт - РАДІОМАГ-Харків
203 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
115 шт - РАДІОМАГ-Львів
112 шт - РАДІОМАГ-Харків
203 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 2.00 грн |
| 31+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |







