IRFB3206PBF


irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
Код товару: 34412
4 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 210 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності: 91 шт
  • 91 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+95.00 грн
10+88.00 грн
100+82.50 грн
1000+74.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB3206PBF за ціною від 72.96 грн до 238.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.83 грн
10+119.09 грн
30+93.93 грн
50+83.86 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+196.68 грн
75+189.18 грн
100+182.76 грн
250+170.89 грн
500+153.93 грн
1000+144.16 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.77 грн
10+134.20 грн
50+102.86 грн
100+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.12 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irl3803vpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irl3803vpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+95.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+178.83 грн
10+119.09 грн
30+93.93 грн
50+83.86 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irl3803vpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+196.68 грн
75+189.18 грн
100+182.76 грн
250+170.89 грн
500+153.93 грн
1000+144.16 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.77 грн
10+134.20 грн
50+102.86 грн
100+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irl3803vpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+238.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irl3803vpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+238.12 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
6 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 159904 шт
  • 134663 шт - склад
  • 12751 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8190 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
18 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 3667 шт
  • 3662 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS
Код товару: 160503
6 Додати до обраних Обраний товар
1n4148ws-sod323.pdf
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-323
Uзвор., В: 100 В
Iвипр., А: 0,15 А
Опис: Швидкий TRR: 4 ns
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 В
у наявності: 8862 шт
  • 7536 шт - склад
  • 618 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 125 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 364 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 219 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 284 шт
  • 284 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.10 грн
100+1.80 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1208
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 10 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 3517 шт
  • 859 шт - склад
  • 2658 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 12000 шт
  • 12000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
8,2 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-8K2-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1787
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 8,2 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 176 шт
  • 176 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20000 шт
  • 20000 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+0.12 грн
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.