IRFB3206PBF

IRFB3206PBF


irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
Код товару: 34412
Виробник: IR
Uds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності 374 шт:

286 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
32 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+95.00 грн
10+88.00 грн
100+82.50 грн
1000+74.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB3206PBF за ціною від 55.30 грн до 182.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+75.65 грн
169+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+83.73 грн
50+82.89 грн
100+79.35 грн
500+66.82 грн
1000+61.26 грн
2000+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
138+89.03 грн
139+88.14 грн
145+84.37 грн
500+71.05 грн
1000+65.14 грн
2000+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.45 грн
50+91.06 грн
100+88.88 грн
500+67.48 грн
1000+62.36 грн
2000+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+149.75 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6BFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=1b9ab7ab5a0e7f7a29be1ba6c0d0457a333e87b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3206_DataSheet_v01_01_EN-3363307.pdf MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
на замовлення 14929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.21 грн
10+112.10 грн
100+82.60 грн
250+78.13 грн
500+72.11 грн
1000+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.96 грн
10+138.57 грн
100+104.35 грн
500+79.84 грн
1000+68.19 грн
5000+64.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6BFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=1b9ab7ab5a0e7f7a29be1ba6c0d0457a333e87b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.31 грн
15+78.24 грн
40+71.62 грн
2000+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5810 шт
5451 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
97 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
150 шт - РАДІОМАГ-Одеса
42 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZV85-C15
Код товару: 23982
Додати до обраних Обраний товар

BZV85.pdf
BZV85-C15
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 15mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.9 до 13.6mV/K
у наявності: 911 шт
363 шт - склад
149 шт - РАДІОМАГ-Київ
103 шт - РАДІОМАГ-Львів
121 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Одеса
130 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1526
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 9650 шт
1600 шт - склад
3250 шт - РАДІОМАГ-Львів
4800 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість Ціна
100+0.15 грн
1000+0.12 грн
10000+0.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N4742A
Код товару: 29770
Додати до обраних Обраний товар

1N4728A-1N4764A.pdf
1N4742A
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 21mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.045 до 0.085 %/°C
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+1.70 грн
100+1.30 грн
1000+1.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55-C11
Код товару: 30133
Додати до обраних Обраний товар

BZX55.pdf
BZX55-C11
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 11 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 7.7mV/K
у наявності: 5573 шт
4935 шт - склад
48 шт - РАДІОМАГ-Київ
115 шт - РАДІОМАГ-Львів
112 шт - РАДІОМАГ-Харків
160 шт - РАДІОМАГ-Одеса
203 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.