Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3207PBF

IRFB3207PBF

irfs3207pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636708e215e
Код товару: 180333
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB3207PBF за ціною від 112.25 грн до 274.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.10 грн
2000+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.10 грн
2000+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.60 грн
10+170.70 грн
100+132.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.13 грн
10+181.62 грн
100+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+239.03 грн
78+182.31 грн
100+147.28 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irfs3207pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636708e215e Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.63 грн
10+169.90 грн
100+118.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+274.03 грн
72+197.00 грн
100+153.65 грн
500+112.25 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3207_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irl520npbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+123.10 грн
2000+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irl520npbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+123.10 грн
2000+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irl520npbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+146.15 грн
500+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irfs3207pbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+227.60 грн
10+170.70 грн
100+132.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irl520npbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+238.13 грн
10+181.62 грн
100+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irl520npbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+239.03 грн
78+182.31 грн
100+147.28 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irfs3207pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636708e215e
IRFB3207PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.63 грн
10+169.90 грн
100+118.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irl520npbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+274.03 грн
72+197.00 грн
100+153.65 грн
500+112.25 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF Infineon_IRFS3207_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

STTH30R03CG-TR
Код товару: 44292
Додати до обраних Обраний товар
en.CD00002349.pdf
STTH30R03CG-TR
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF
Код товару: 31360
1 Додати до обраних Обраний товар
irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 40 V
Струм стоку Idd, A: 202 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 804 шт
  • 770 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 3 шт
  • 3 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+48.00 грн
10+44.00 грн
100+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
33 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-33R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4018
Додати до обраних Обраний товар
33 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-33R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 33 Ohm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,25 W
Uроб, V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 7363 шт
  • 6560 шт - склад
  • 503 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2151
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,25 W
Uроб, V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 5700 шт
  • 5700 шт - склад
очікується: 15000 шт
  • 15000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.