Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB3207PBF
IRFB3207PBF

IRFB3207PBF Infineon Technologies

irl520npbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+134.28 грн
500+126.70 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3207PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFB3207PBF за ціною від 85.64 грн до 255.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.36 грн
10+126.75 грн
20+121.68 грн
50+118.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Виробник : Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+187.55 грн
86+151.78 грн
100+135.01 грн
500+113.62 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Виробник : Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+200.99 грн
10+162.66 грн
100+144.68 грн
500+121.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3207_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.32 грн
10+153.39 грн
100+101.09 грн
500+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3207pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636708e215e Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.51 грн
10+160.01 грн
100+112.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.53 грн
10+172.81 грн
100+131.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF
Код товару: 180333
Додати до обраних Обраний товар

irfs3207pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636708e215e Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Виробник : Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Виробник : Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.