Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3306PBF
IRFB3306PBF

IRFB3306PBF

irfs3306pbf-datasheet.pdf
Код товару: 88656
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
у наявності 72 шт:
50 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+82.00 грн
10+75.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB3306PBF за ціною від 47.04 грн до 249.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
246+56.95 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+115.00 грн
136+102.84 грн
500+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+116.06 грн
500+104.46 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+116.06 грн
500+104.46 грн
1000+96.33 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+125.55 грн
126+110.98 грн
500+88.68 грн
1000+75.51 грн
3000+69.22 грн
5000+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.85 грн
4+133.93 грн
10+101.28 грн
25+86.22 грн
50+76.17 грн
100+67.80 грн
200+61.11 грн
500+52.74 грн
1000+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.33 грн
50+81.23 грн
100+73.03 грн
500+55.03 грн
1000+50.69 грн
2000+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.49 грн
10+129.00 грн
100+78.70 грн
500+58.69 грн
1000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.54 грн
10+115.00 грн
100+102.84 грн
500+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+248.89 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+249.47 грн
10+125.98 грн
100+111.36 грн
500+85.81 грн
1000+70.15 грн
3000+66.68 грн
5000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs3306datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF Виробник : International Rectifier irfs3306pbf.pdf MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3306_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFB3307ZPBF
Код товару: 37782
1 Додати до обраних Обраний товар
irfs3307zpbf-datasheet.pdf
IRFB3307ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності: 41 шт
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+58.00 грн
10+53.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
15 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1488 шт
1331 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
64 шт - РАДІОМАГ-Львів
39 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50NC60W
Код товару: 38440
2 Додати до обраних Обраний товар
STGW50NC60W.pdf
STGW50NC60W
Виробник: ST
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,6 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 55 A
Pd 25: 285 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 52/31
у наявності: 47 шт
34 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+132.00 грн
10+118.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 63V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR101M63B 10X16) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 3673
Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
100uF 63V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR101M63B 10X16) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 520 шт
173 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
318 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 3000 шт
3000 шт - очікується
Кількість Ціна
5+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.60 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 25V EHR 5x11mm (EHR470M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3479
1 Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
47uF 25V EHR 5x11mm (EHR470M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 2030 шт
1672 шт - склад
92 шт - РАДІОМАГ-Київ
102 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
126 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується
Кількість Ціна
14+1.50 грн
17+1.20 грн
100+0.85 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.