IRFB3306PBF
Код товару: 88656
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 82.00 грн |
| 10+ | 75.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB3306PBF за ціною від 53.33 грн до 27425.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 32124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 160A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1244 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V |
на замовлення 3770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 32133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 80.87 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 80.87 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 158+ | 89.34 грн |
| 171+ | 82.86 грн |
| 500+ | 72.36 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 343+ | 103.15 грн |
| 500+ | 92.84 грн |
| 1000+ | 85.61 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 343+ | 103.15 грн |
| 500+ | 92.84 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 122+ | 115.75 грн |
| 137+ | 103.06 грн |
| 500+ | 84.55 грн |
| 1000+ | 76.38 грн |
| 3000+ | 70.01 грн |
| 5000+ | 55.40 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 131.36 грн |
| 10+ | 89.34 грн |
| 100+ | 82.86 грн |
| 500+ | 69.77 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 102+ | 138.96 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 167.74 грн |
| 4+ | 132.06 грн |
| 10+ | 99.89 грн |
| 25+ | 87.19 грн |
| 50+ | 78.73 грн |
| 100+ | 71.11 грн |
| 500+ | 58.41 грн |
| 1000+ | 53.33 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 171.68 грн |
| 10+ | 106.28 грн |
| 50+ | 80.76 грн |
| 100+ | 68.04 грн |
| 500+ | 54.46 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 205.73 грн |
| 10+ | 111.44 грн |
| 100+ | 100.20 грн |
| 500+ | 80.42 грн |
| 1000+ | 70.05 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 205.73 грн |
| 127+ | 111.44 грн |
| 141+ | 100.20 грн |
| 500+ | 80.42 грн |
| 1000+ | 70.05 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 233.51 грн |
| 10+ | 116.08 грн |
| 100+ | 103.37 грн |
| 500+ | 81.77 грн |
| 1000+ | 70.93 грн |
| 3000+ | 67.41 грн |
| 5000+ | 55.56 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 27425.64 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2974
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 6x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 6x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 9765 шт
- 9050 шт - склад
- 182 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 155 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 200 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 178 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 300 шт
- 300 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 3863 шт
- 3825 шт - склад
- 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 26 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| IRFB3307ZPBF Код товару: 37782
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
- 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 58.00 грн |
| 10+ | 53.50 грн |
| 2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3112
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 3153 шт
- 2009 шт - склад
- 136 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 426 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 403 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 179 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 469 шт
- 469 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| 470uF 10V ECR 8x12mm (ECR471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2937
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 2319 шт
- 1809 шт - склад
- 170 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 238 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.70 грн |
| 1000+ | 1.40 грн |








