IRFB3306PBF
Код товару: 88656
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
у наявності: 70 шт
- 50 шт - склад
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 2 шт
- 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 82.00 грн |
| 10+ | 75.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB3306PBF за ціною від 46.55 грн до 231.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 32626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V |
на замовлення 4789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 32635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 69.31 грн |
| 3000+ | 68.62 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 69.31 грн |
| 3000+ | 68.62 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 140+ | 101.67 грн |
| 155+ | 91.83 грн |
| 500+ | 77.79 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 343+ | 103.38 грн |
| 500+ | 93.05 грн |
| 1000+ | 85.80 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 343+ | 103.38 грн |
| 500+ | 93.05 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 121+ | 117.01 грн |
| 137+ | 103.29 грн |
| 500+ | 84.73 грн |
| 1000+ | 67.44 грн |
| 3000+ | 61.81 грн |
| 5000+ | 54.50 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 149.92 грн |
| 99+ | 144.22 грн |
| 102+ | 139.32 грн |
| 250+ | 130.26 грн |
| 500+ | 117.34 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 169.87 грн |
| 10+ | 101.67 грн |
| 100+ | 91.83 грн |
| 500+ | 75.01 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 172.80 грн |
| 50+ | 80.98 грн |
| 100+ | 72.71 грн |
| 500+ | 54.61 грн |
| 1000+ | 50.23 грн |
| 2000+ | 46.55 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 204.66 грн |
| 10+ | 111.95 грн |
| 100+ | 99.86 грн |
| 500+ | 80.18 грн |
| 1000+ | 62.00 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 204.66 грн |
| 127+ | 111.95 грн |
| 142+ | 99.86 грн |
| 500+ | 80.18 грн |
| 1000+ | 62.00 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 231.88 грн |
| 10+ | 116.34 грн |
| 100+ | 102.68 грн |
| 500+ | 81.23 грн |
| 1000+ | 62.08 грн |
| 3000+ | 59.00 грн |
| 5000+ | 54.18 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1118 шт
- 1008 шт - склад
- 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 3000 шт
- 3000 шт - очікується 13.08.2026
на замовлення: 120 шт
- 120 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| IRFB3307ZPBF Код товару: 37782
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності: 35 шт
- 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 58.00 грн |
| 10+ | 53.50 грн |
| 2,4 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-2R4-Hitano) Код товару: 13645
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 2,4 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 2,4 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 3605 шт
- 615 шт - склад
- 2500 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 490 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1884 шт
- 1884 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| 2SC3320 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 13498
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fujitsu
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PN
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 400 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 500 В
Струм колектора Ic, А: 15 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 10
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PN
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 400 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 500 В
Струм колектора Ic, А: 15 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 10
Монтаж: THT
у наявності: 80 шт
- 68 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
- 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 165.00 грн |
| 10+ | 152.00 грн |
| 100uF 63V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR101M63B 10X16) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 3673
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x16 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x16 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 414 шт
- 126 шт - склад
- 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 259 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 3000 шт
- 3000 шт - очікується 01.11.2026
на замовлення: 137 шт
- 137 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.10 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |









