IRFB3306PBF
Код товару: 88656
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 82.00 грн |
| 10+ | 75.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB3306PBF за ціною від 47.57 грн до 250.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 22437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 160A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V |
на замовлення 2018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 22437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 71.10 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 83.70 грн |
| 2000+ | 77.67 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 159+ | 89.26 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 131+ | 107.91 грн |
| 145+ | 97.72 грн |
| 500+ | 83.22 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 301+ | 117.37 грн |
| 500+ | 105.64 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 301+ | 117.37 грн |
| 500+ | 105.64 грн |
| 1000+ | 97.42 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 149.59 грн |
| 99+ | 143.90 грн |
| 102+ | 139.01 грн |
| 250+ | 129.97 грн |
| 500+ | 117.08 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.62 грн |
| 4+ | 135.44 грн |
| 10+ | 102.43 грн |
| 25+ | 87.19 грн |
| 50+ | 77.03 грн |
| 100+ | 68.57 грн |
| 200+ | 61.80 грн |
| 500+ | 53.33 грн |
| 1000+ | 49.10 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.26 грн |
| 50+ | 82.14 грн |
| 100+ | 73.85 грн |
| 500+ | 55.65 грн |
| 1000+ | 51.26 грн |
| 2000+ | 47.57 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 177.31 грн |
| 10+ | 107.91 грн |
| 100+ | 97.72 грн |
| 500+ | 80.25 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 190.35 грн |
| 10+ | 165.73 грн |
| 100+ | 83.69 грн |
| 500+ | 62.62 грн |
| 1000+ | 53.24 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 216.15 грн |
| 118+ | 119.66 грн |
| 132+ | 106.93 грн |
| 500+ | 86.22 грн |
| 1000+ | 66.04 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 250.51 грн |
| 10+ | 126.67 грн |
| 100+ | 111.92 грн |
| 500+ | 88.86 грн |
| 1000+ | 67.16 грн |
| 3000+ | 63.83 грн |
| 5000+ | 58.24 грн |
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1385 шт
1273 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| IRFB3307ZPBF Код товару: 37782
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності: 35 шт
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 58.00 грн |
| 10+ | 53.50 грн |
| STGW50NC60W Код товару: 38440
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,6 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 55 A
Pd 25: 285 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 52/31
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,6 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 55 A
Pd 25: 285 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 52/31
у наявності: 29 шт
20 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10 шт
10 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 132.00 грн |
| 10+ | 118.80 грн |
| 100uF 63V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR101M63B 10X16) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 3673
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 476 шт
168 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
279 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
279 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
3000 шт
3000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.10 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |
| 47uF 25V EHR 5x11mm (EHR470M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3479
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1681 шт
1460 шт - склад
88 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Харків
111 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
88 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Харків
111 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.85 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |










