IRFB3306PBF
Код товару: 88656
Виробник: IRКорпус: TO-220AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
у наявності 73 шт:
50 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 82.00 грн |
| 10+ | 75.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB3306PBF за ціною від 47.49 грн до 226.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 160A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V |
на замовлення 2018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRFB3307ZPBF Код товару: 37782
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності: 45 шт
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 58.00 грн |
| 10+ | 53.50 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1675 шт
1517 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| STGW50NC60W Код товару: 38440
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,6 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 55 A
Pd 25: 285 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 52/31
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,6 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 55 A
Pd 25: 285 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 52/31
у наявності: 7 шт
3 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
40 шт
40 шт - очікується 23.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 132.00 грн |
| 10+ | 118.80 грн |
| 100uF 63V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR101M63B 10X16) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 3673
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 649 шт
279 шт - склад
39 шт - РАДІОМАГ-Львів
331 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
39 шт - РАДІОМАГ-Львів
331 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.10 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |
| 47uF 25V EHR 5x11mm (EHR470M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3479
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 2350 шт
1946 шт - склад
102 шт - РАДІОМАГ-Київ
138 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
126 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
102 шт - РАДІОМАГ-Київ
138 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
126 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.85 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |








