Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4020PBF
IRFB4020PBF

IRFB4020PBF

irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05
Код товару: 55927
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 80 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1200/18
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
  • 4 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 25.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+72.00 грн
10+64.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4020PBF за ціною від 35.05 грн до 180.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+56.93 грн
500+53.51 грн
1000+48.81 грн
2000+44.13 грн
5000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+79.10 грн
500+71.19 грн
1000+65.65 грн
10000+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+79.10 грн
500+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+79.10 грн
500+71.19 грн
1000+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.33 грн
5+89.54 грн
10+78.77 грн
50+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
50+62.34 грн
100+55.75 грн
500+41.47 грн
1000+37.98 грн
2000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF International Rectifier irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
на замовлення 750 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+159.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.20 грн
14+57.02 грн
100+56.94 грн
500+51.61 грн
1000+45.20 грн
2000+42.37 грн
5000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.78 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.48 грн
82+173.60 грн
100+167.71 грн
250+156.81 грн
500+141.25 грн
1000+132.29 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4020_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
на замовлення 5017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
581+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
249+56.93 грн
500+53.51 грн
1000+48.81 грн
2000+44.13 грн
5000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
448+79.10 грн
500+71.19 грн
1000+65.65 грн
10000+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
448+79.10 грн
500+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
448+79.10 грн
500+71.19 грн
1000+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+122.33 грн
5+89.54 грн
10+78.77 грн
50+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.83 грн
50+62.34 грн
100+55.75 грн
500+41.47 грн
1000+37.98 грн
2000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05
IRFB4020PBF
Виробник: International Rectifier
MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
на замовлення 750 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+163.20 грн
14+57.02 грн
100+56.94 грн
500+51.61 грн
1000+45.20 грн
2000+42.37 грн
5000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+168.78 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+180.48 грн
82+173.60 грн
100+167.71 грн
250+156.81 грн
500+141.25 грн
1000+132.29 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF Infineon_IRFB4020_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
на замовлення 5017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

100nF 100V X7R 10% 1812 1k/reel (1812B104K101N1-Hitano)
Код товару: 9928
1 Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
100nF 100V X7R 10% 1812 1k/reel (1812B104K101N1-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1812
Ємність: 100 нФ
Номінальна напруга: 100 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1812
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 2838 шт
  • 81 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 94 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2663 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.50 грн
1000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640
Код товару: 7926
Додати до обраних Обраний товар
description IRF640.pdf
IRF640
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20
Код товару: 4750
Додати до обраних Обраний товар
description STP19NF20.pdf
STP19NF20
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 15 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,16 Ом
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 78 шт
  • 45 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Код товару: 3450
Додати до обраних Обраний товар
JD222MY5UY1-A2.pdf
2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 2,2 нФ
Номін. напруга: 400 VAC
ТКЄ (код діелектрика): Y5U
Точність: ±20% M
Габарити: Dmax=11 мм
Part Number: JD222MY5U Y1
Клас: Y1
у наявності: 15 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 2000 шт
  • 2000 шт - очікується 29.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.60 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 100V ECR 16x26mm (ECR471M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2942
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
470uF 100V ECR 16x26mm (ECR471M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 100 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 16x26 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
1000+14.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.