IRFB4020PBF
Код товару: 55927
Виробник: IRUds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
Монтаж: THT
у наявності 63 шт:
41 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 72 грн |
10+ | 64.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4020PBF за ціною від 47.67 грн до 136.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud |
на замовлення 4864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V |
на замовлення 16825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB |
на замовлення 400 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4020PBF | Виробник : International Rectifier Corporation | MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB |
на замовлення 780 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
З цим товаром купують
MBR0520LT1G Код товару: 25895 |
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-123
Зворотня напруга, Vrrm: 20 V
Прямий струм (per leg), If: 0,5 A
Падіння напруги, Vf: 0,38 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 5,5 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-123
Зворотня напруга, Vrrm: 20 V
Прямий струм (per leg), If: 0,5 A
Падіння напруги, Vf: 0,38 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 5,5 A
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 22.09.2024
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 3.5 грн |
10+ | 3.1 грн |
100+ | 2.8 грн |
TC4420CPA Код товару: 25999 |
Виробник: Microchip /TelCom
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Uc, V: 20 V
I o +/-, A: 6 А
V out, V: 4,5-18 V
T on/T off, ns: 55/25 ns
Примітка: 730mW
Роб.темп.,°С: 0…+70°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Uc, V: 20 V
I o +/-, A: 6 А
V out, V: 4,5-18 V
T on/T off, ns: 55/25 ns
Примітка: 730mW
Роб.темп.,°С: 0…+70°C
у наявності: 149 шт
137 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 54 грн |
10+ | 49 грн |
IRS2092SPBF Код товару: 26019 |
Виробник: Infineon
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SOIC-16
U пит, V: 10...18 V
P, W: 1 W
Примітка: Audio Amplifiers Prot DIG Audio AMP 100V
Робоча температура, °С: -40…+125°C
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SOIC-16
U пит, V: 10...18 V
P, W: 1 W
Примітка: Audio Amplifiers Prot DIG Audio AMP 100V
Робоча температура, °С: -40…+125°C
у наявності: 26 шт
14 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 426 грн |
10+ | 400.4 грн |
1000uF 16V EHR 10x21mm (EHR102M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 31650 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1760 шт
1545 шт - склад
71 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
118 шт - РАДІОМАГ-Одеса
71 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
118 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 4.5 грн |
10+ | 4 грн |
100+ | 3.6 грн |
1000+ | 3.2 грн |
1.5KE180CA Код товару: 32621 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 180 V
Конструкція діода: Двоспрямований
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 180 V
Конструкція діода: Двоспрямований
у наявності: 1588 шт
1180 шт - склад
71 шт - РАДІОМАГ-Київ
83 шт - РАДІОМАГ-Львів
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
83 шт - РАДІОМАГ-Одеса
81 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
71 шт - РАДІОМАГ-Київ
83 шт - РАДІОМАГ-Львів
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
83 шт - РАДІОМАГ-Одеса
81 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.6 грн |