IRFB4020PBF

IRFB4020PBF


irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05
Код товару: 55927
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
Монтаж: THT
у наявності 18 шт:

4 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+72.00 грн
10+64.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4020PBF за ціною від 28.61 грн до 163.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
581+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 581
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+61.44 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
448+71.85 грн
500+64.67 грн
1000+59.64 грн
10000+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 448
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
448+71.85 грн
500+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 448
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
448+71.85 грн
500+64.67 грн
1000+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 448
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.71 грн
6+77.62 грн
10+58.63 грн
50+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.04 грн
15+51.91 грн
100+51.83 грн
500+47.38 грн
1000+39.58 грн
2000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.16 грн
50+55.90 грн
100+49.99 грн
500+37.19 грн
1000+34.06 грн
2000+31.42 грн
5000+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4020_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.05 грн
10+60.51 грн
100+46.99 грн
500+37.32 грн
1000+34.09 грн
2000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 672 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.66 грн
5+96.72 грн
10+70.35 грн
50+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+153.32 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+163.95 грн
82+157.69 грн
100+152.35 грн
250+142.45 грн
500+128.31 грн
1000+120.17 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4020PBF - MOSFET, N-KANAL, 200V, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.05 грн
18+46.10 грн
100+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF Виробник : International Rectifier Corporation irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB
на замовлення 760 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFP460APBF
Код товару: 22361
Додати до обраних Обраний товар

irfp460A.pdf
IRFP460APBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3520/56
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 150 шт
150 шт - очікується 23.04.2026
Кількість Ціна
1+142.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640
Код товару: 7926
Додати до обраних Обраний товар

description IRF640.pdf
IRF640
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Код товару: 3450
Додати до обраних Обраний товар

C07-MultiCap1.pdf
2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 2,2 nF
Номін.напруга: 400 VAC
ТКЕ: Y5U
Точність: ±20% M
Габарити: Dmax=11 mm
Part Number: JD222MY5U Y1
Клас: Y1
товару немає в наявності
очікується: 2000 шт
2000 шт - очікується
Кількість Ціна
5+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.60 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 100V ECR 16x26mm (ECR471M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2942
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
470uF 100V ECR 16x26mm (ECR471M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 466 шт
278 шт - склад
48 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
1000+14.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50
Код товару: 2175
Додати до обраних Обраний товар

STP20NM50.pdf
STP20NM50
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
Монтаж: THT
у наявності: 42 шт
26 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+116.00 грн
10+105.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.