IRFB4020PBF
Код товару: 55927
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
Монтаж: THT
у наявності 18 шт:
4 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 72.00 грн |
| 10+ | 64.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4020PBF за ціною від 32.01 грн до 165.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.1Ω Gate charge: 18nC Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Technology: HEXFET® |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V |
на замовлення 5707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.1Ω Gate charge: 18nC Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 672 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud |
на замовлення 4080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRFB4020PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4020PBF - MOSFET, N-KANAL, 200V, TO-220ABtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRFB4020PBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB |
на замовлення 760 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRFB4020PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB |
на замовлення 400 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRFP460APBF Код товару: 22361
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3520/56
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3520/56
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 142.00 грн |
| 10+ | 133.00 грн |
| IRF640 Код товару: 7926
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 50.00 грн |
| 10+ | 23.10 грн |
| 2,2nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=11mm (JD222MY5UY1-A2-Hitano) Код товару: 3450
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 2,2 nF
Номін.напруга: 400 VAC
ТКЕ: Y5U
Точність: ±20% M
Габарити: Dmax=11 mm
Part Number: JD222MY5U Y1
Клас: Y1
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 2,2 nF
Номін.напруга: 400 VAC
ТКЕ: Y5U
Точність: ±20% M
Габарити: Dmax=11 mm
Part Number: JD222MY5U Y1
Клас: Y1
товару немає в наявності
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 4.50 грн |
| 13+ | 4.10 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |
| 470uF 100V ECR 16x26mm (ECR471M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2942
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 478 шт
290 шт - склад
48 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
48 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 20.00 грн |
| 10+ | 18.00 грн |
| 100+ | 16.20 грн |
| 1000+ | 14.50 грн |
| STP20NM50 Код товару: 2175
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
Монтаж: THT
у наявності: 48 шт
28 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 116.00 грн |
| 10+ | 105.60 грн |








