Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4020PBF
IRFB4020PBF

IRFB4020PBF

irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05
Код товару: 55927
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
Монтаж: THT
у наявності 55 шт:
40 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 5 шт:
5 шт - очікується
Кількість Ціна
1+72.00 грн
10+64.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4020PBF за ціною від 31.29 грн до 136.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+45.42 грн
271+44.97 грн
283+43.01 грн
500+39.54 грн
1000+36.17 грн
2000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+48.53 грн
50+48.04 грн
100+45.94 грн
500+42.24 грн
1000+38.65 грн
2000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
448+67.91 грн
500+61.12 грн
1000+56.36 грн
10000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 448
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
448+67.91 грн
500+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 448
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.73 грн
10+80.38 грн
16+60.09 грн
25+59.31 грн
42+56.97 грн
50+55.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
на замовлення 8608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.64 грн
50+40.52 грн
100+39.67 грн
500+35.21 грн
1000+34.85 грн
2000+33.96 грн
5000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4020_DataSheet_v01_01_EN-3363182.pdf MOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.11 грн
10+103.38 грн
25+37.31 грн
100+35.96 грн
250+35.88 грн
500+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.06 грн
10+105.89 грн
100+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+126.28 грн
132+92.28 грн
202+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 914 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.08 грн
10+100.16 грн
16+72.11 грн
25+71.17 грн
42+68.36 грн
50+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+136.52 грн
93+131.31 грн
100+126.86 грн
250+118.62 грн
500+106.84 грн
1000+100.07 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF Виробник : International Rectifier Corporation irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB
на замовлення 760 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfb4020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4020datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF640
Код товару: 7926
Додати до обраних Обраний товар

description IRF640.pdf
IRF640
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0520LT1G
Код товару: 25895
Додати до обраних Обраний товар

0o8u5rf1xjct3t40igk7wdl110cy.pdf
MBR0520LT1G
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-123
Зворотня напруга, Vrrm: 20 V
Прямий струм (per leg), If: 0,5 A
Падіння напруги, Vf: 0,38 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 5,5 A
у наявності: 8997 шт
8528 шт - склад
190 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
80 шт - РАДІОМАГ-Харків
90 шт - РАДІОМАГ-Одеса
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC4420CPA
Код товару: 25999
Додати до обраних Обраний товар

description 21419D.pdf
TC4420CPA
Виробник: Microchip /TelCom
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Uc, V: 20 V
I o +/-, A: 6 А
V out, V: 4,5-18 V
T on/T off, ns: 55/25 ns
Примітка: 730mW
Роб.темп.,°С: 0…+70°C
у наявності: 135 шт
95 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 17 шт
17 шт - очікується
Кількість Ціна
1+54.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092SPBF
Код товару: 26019
Додати до обраних Обраний товар

description irs2092-1225204.pdf
IRS2092SPBF
Виробник: Infineon
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: SOIC-16
U пит, V: 10...18 V
P, W: 1 W
Примітка: Audio Amplifiers Prot DIG Audio AMP 100V
Робоча температура, °С: -40…+125°C
у наявності: 51 шт
48 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+250.00 грн
10+232.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 16V EHR 10x21mm (EHR102M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 31650
Додати до обраних Обраний товар

EHR_081225.pdf
1000uF 16V EHR 10x21mm (EHR102M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 3772 шт
3421 шт - склад
93 шт - РАДІОМАГ-Київ
71 шт - РАДІОМАГ-Львів
67 шт - РАДІОМАГ-Харків
97 шт - РАДІОМАГ-Одеса
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+4.50 грн
10+4.00 грн
100+3.60 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.