Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4229PBF

IRFB4229PBF

irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23
Код товару: 118259
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+115.00 грн
10+97.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4229PBF за ціною від 100.55 грн до 409.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.60 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.09 грн
3+186.97 грн
10+152.90 грн
20+139.60 грн
50+122.98 грн
100+116.34 грн
200+109.69 грн
500+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+268.12 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+297.34 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.33 грн
10+190.86 грн
50+148.20 грн
100+126.18 грн
500+103.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+409.40 грн
37+391.82 грн
50+376.88 грн
100+351.10 грн
250+315.22 грн
500+294.39 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON 3732402.pdf Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+117.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+117.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+168.92 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+233.60 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+234.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF irfb4229pbf.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.09 грн
3+186.97 грн
10+152.90 грн
20+139.60 грн
50+122.98 грн
100+116.34 грн
200+109.69 грн
500+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+268.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+268.12 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+297.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+297.34 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.33 грн
10+190.86 грн
50+148.20 грн
100+126.18 грн
500+103.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+409.40 грн
37+391.82 грн
50+376.88 грн
100+351.10 грн
250+315.22 грн
500+294.39 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF 3732402.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

51 Ohm 5% 2W вив. (MFR200SSJTB-51R-Hitano)
Код товару: 55241
4 Додати до обраних Обраний товар
MFRSS_series_20140707.pdf
51 Ohm 5% 2W вив. (MFR200SSJTB-51R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 51 Ом
Точність і ТКО: ±5%, ±100ppm
P ном., Вт: 2 Вт
U роб., В: 350 В
Габарити: 9x3 mm; Ø виводу = 0,7 mm
Тип: метало-плівкові мініатюрні
-55...+155°С
у наявності: 554 шт
  • 291 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 62 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 167 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2000 шт
  • 2000 шт - очікується
на замовлення: 250 шт
  • 250 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.20 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1nF 50V NP0 5% C1206 4k/reel (C1206N102J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 32120
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
1nF 50V NP0 5% C1206 4k/reel (C1206N102J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 1 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
товару немає в наявності
очікується: 8000 шт
  • 4000 шт - очікується 06.10.2026
  • 4000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.60 грн
100+1.40 грн
1000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF
Код товару: 25569
1 Додати до обраних Обраний товар
description ir2110spbf.pdf
IR2110SPBF
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-16
Напруга живлення Uc, В: 500 В
Вихідний струм Io ±, А: 2,0/2,0 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
68pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N680J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 2032
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
68pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N680J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 68 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 8333 шт
  • 6643 шт - склад
  • 120 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 440 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 630 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.60 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 1953
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1659 шт
  • 220 шт - склад
  • 1439 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.