Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB4229PBF
IRFB4229PBF

IRFB4229PBF Infineon Technologies

infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
336+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4229PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB4229PBF за ціною від 70.14 грн до 387.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
110+113.92 грн
136+91.68 грн
139+89.92 грн
500+79.68 грн
1000+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+122.00 грн
10+98.18 грн
100+96.30 грн
500+85.33 грн
1000+75.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+201.17 грн
10+175.48 грн
50+134.24 грн
100+105.13 грн
250+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.41 грн
10+218.68 грн
50+161.09 грн
100+126.15 грн
250+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.86 грн
50+111.14 грн
100+105.61 грн
500+80.66 грн
1000+77.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFB4229-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.04 грн
10+124.99 грн
100+104.03 грн
500+83.84 грн
1000+82.29 грн
2000+76.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+275.25 грн
54+232.97 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : INFINEON 3732402.pdf Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+276.07 грн
10+135.86 грн
100+129.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+387.12 грн
34+370.49 грн
50+356.37 грн
100+331.99 грн
250+298.07 грн
500+278.36 грн
1000+271.56 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF
Код товару: 118259
Додати до обраних Обраний товар

irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+115.00 грн
10+97.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.