Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB4229PBF
IRFB4229PBF

IRFB4229PBF Infineon Technologies

infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
336+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4229PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB4229PBF за ціною від 64.47 грн до 320.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+116.76 грн
10+94.23 грн
100+91.52 грн
500+78.53 грн
1000+68.40 грн
3000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+124.56 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+163.01 грн
3000+137.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.29 грн
50+111.98 грн
100+105.73 грн
500+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+248.68 грн
59+210.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.66 грн
7+134.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4229_DataSheet_v01_01_EN-3363106.pdf MOSFETs MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.66 грн
10+249.35 грн
25+116.81 грн
100+109.94 грн
500+90.09 грн
1000+89.33 грн
2000+83.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : INFINEON 3732402.pdf Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+264.65 грн
10+238.96 грн
100+126.76 грн
500+95.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.19 грн
7+167.49 грн
20+152.70 грн
1000+151.74 грн
2000+146.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+320.42 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF
Код товару: 118259
Додати до обраних Обраний товар

irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+115.00 грн
10+97.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.