IRFB4229PBF Infineon Technologies
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 336+ | 69.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4229PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB4229PBF за ціною від 63.48 грн до 319.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4229PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 46A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg |
на замовлення 1199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4229PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4229PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 46A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRFB4229PBF Код товару: 118259
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |