Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB4229PBF
IRFB4229PBF

IRFB4229PBF Infineon Technologies

infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
336+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4229PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB4229PBF за ціною від 69.29 грн до 385.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+112.44 грн
137+90.54 грн
140+88.82 грн
500+78.71 грн
1000+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+121.27 грн
10+97.65 грн
100+95.78 грн
500+84.89 грн
1000+74.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.62 грн
10+170.64 грн
50+130.53 грн
100+102.23 грн
250+83.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.74 грн
10+212.64 грн
50+156.64 грн
100+122.67 грн
250+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.18 грн
50+108.08 грн
100+102.70 грн
500+78.44 грн
1000+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFB4229-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.88 грн
10+121.54 грн
100+101.16 грн
500+81.53 грн
1000+80.02 грн
2000+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : INFINEON 3732402.pdf Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+268.45 грн
10+132.11 грн
100+126.18 грн
500+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+273.95 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+385.29 грн
34+368.74 грн
50+354.69 грн
100+330.42 грн
250+296.66 грн
500+277.05 грн
1000+270.27 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF
Код товару: 118259
Додати до обраних Обраний товар

irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+115.00 грн
10+97.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.