IRFB4229PBF


irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23
Код товару: 118259
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+115.00 грн
10+97.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4229PBF за ціною від 76.29 грн до 407.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
10000+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+216.94 грн
68+208.68 грн
100+201.59 грн
250+188.50 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.09 грн
50+110.49 грн
100+99.88 грн
500+76.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.64 грн
3+160.49 грн
10+129.88 грн
20+119.95 грн
50+109.20 грн
100+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.23 грн
10+159.33 грн
100+145.01 грн
500+139.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+299.29 грн
88+160.43 грн
100+146.01 грн
500+140.43 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+407.58 грн
37+390.07 грн
50+375.21 грн
100+349.54 грн
250+313.82 грн
500+293.08 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON 3732402.pdf Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
10000+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+175.22 грн
500+157.58 грн
1000+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+216.94 грн
68+208.68 грн
100+201.59 грн
250+188.50 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.09 грн
50+110.49 грн
100+99.88 грн
500+76.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF irfb4229pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.64 грн
3+160.49 грн
10+129.88 грн
20+119.95 грн
50+109.20 грн
100+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+297.23 грн
10+159.33 грн
100+145.01 грн
500+139.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+299.29 грн
88+160.43 грн
100+146.01 грн
500+140.43 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+407.58 грн
37+390.07 грн
50+375.21 грн
100+349.54 грн
250+313.82 грн
500+293.08 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF 3732402.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

1nF 50V NP0 5% C1206 4k/reel (C1206N102J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 32120
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 1 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується 06.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.60 грн
100+1.40 грн
1000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ATmega88PA-AU
Код товару: 27186
1 Додати до обраних Обраний товар
description ATmega48P,V,88P,V,168P,V,328P,V.pdf
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: TQFP-32
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 8K байт внутрішньосистемно програмована Flash
Живлення, В: 2,7...5,5 В
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
УКТЗЕД: 8542 39 90 00
у наявності: 129 шт
  • 115 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+135.00 грн
10+124.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF
Код товару: 25569
1 Додати до обраних Обраний товар
description ir2110spbf.pdf
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-16
Напруга живлення Uc, В: 500 В
Вихідний струм Io ±, А: 2,0/2,0 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
68pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N680J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 2032
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 68 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 8345 шт
  • 6655 шт - склад
  • 120 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 440 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 630 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.60 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 1953
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1713 шт
  • 274 шт - склад
  • 1439 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.90 грн
100+0.75 грн
1000+0.65 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.