
товару немає в наявності
очікується 20 шт:
20 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 115.00 грн |
10+ | 97.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4229PBF за ціною від 69.45 грн до 284.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 46A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFB4229PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 46A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
PMLL4148 Код товару: 1294
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80 (Quadro MELF)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 4 ns
Примітка: Reverse recovery time Trr = 4 ns
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80 (Quadro MELF)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 4 ns
Примітка: Reverse recovery time Trr = 4 ns
SMD
у наявності: 5772 шт
4668 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
331 шт - РАДІОМАГ-Львів
101 шт - РАДІОМАГ-Харків
159 шт - РАДІОМАГ-Одеса
480 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
331 шт - РАДІОМАГ-Львів
101 шт - РАДІОМАГ-Харків
159 шт - РАДІОМАГ-Одеса
480 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 1.50 грн |
23+ | 0.90 грн |
100+ | 0.80 грн |
HER108 Код товару: 176826
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
у наявності: 7864 шт
7126 шт - склад
496 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
32 шт - РАДІОМАГ-Одеса
198 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
496 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
32 шт - РАДІОМАГ-Одеса
198 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 1.50 грн |
23+ | 0.90 грн |
100+ | 0.70 грн |
10nF 2kV NP0 K(+/-10%) D<=17,5mm (KB3D103K-L016BD17.5-Hitano) Код товару: 23427
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 2k V
ТКЕ: NP0
Точність: ±10% K
Габарити: D<=17,5 mm
Part Number: KB3D103K-L016BD17.5
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 2k V
ТКЕ: NP0
Точність: ±10% K
Габарити: D<=17,5 mm
Part Number: KB3D103K-L016BD17.5
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 20.00 грн |
10+ | 14.50 грн |
100+ | 13.20 грн |
1000+ | 11.90 грн |
20pF 50V NP0 5% 1206 (C1206N200J500NT – Hitano) Код товару: 114662
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 20 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 20 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
у наявності: 3488 шт
3480 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 1.60 грн |
100+ | 1.10 грн |
1000+ | 1.00 грн |
10 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 387
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.22 грн |
1000+ | 0.16 грн |
10000+ | 0.13 грн |