Інші пропозиції IRFB4229PBF за ціною від 76.29 грн до 407.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4229PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4229PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4229PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4229PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4229PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4229PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 46A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4229PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4229PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4229PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4229PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm |
на замовлення 829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB4229PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 202+ | 175.22 грн |
| 500+ | 157.58 грн |
| 1000+ | 145.82 грн |
| IRFB4229PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 202+ | 175.22 грн |
| 500+ | 157.58 грн |
| 1000+ | 145.82 грн |
| 10000+ | 124.74 грн |
| IRFB4229PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 202+ | 175.22 грн |
| 500+ | 157.58 грн |
| 1000+ | 145.82 грн |
| IRFB4229PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 216.94 грн |
| 68+ | 208.68 грн |
| 100+ | 201.59 грн |
| 250+ | 188.50 грн |
| IRFB4229PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.09 грн |
| 50+ | 110.49 грн |
| 100+ | 99.88 грн |
| 500+ | 76.29 грн |
| IRFB4229PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 231.64 грн |
| 3+ | 160.49 грн |
| 10+ | 129.88 грн |
| 20+ | 119.95 грн |
| 50+ | 109.20 грн |
| 100+ | 100.93 грн |
| IRFB4229PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 297.23 грн |
| 10+ | 159.33 грн |
| 100+ | 145.01 грн |
| 500+ | 139.45 грн |
| IRFB4229PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 299.29 грн |
| 88+ | 160.43 грн |
| 100+ | 146.01 грн |
| 500+ | 140.43 грн |
| IRFB4229PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 407.58 грн |
| 37+ | 390.07 грн |
| 50+ | 375.21 грн |
| 100+ | 349.54 грн |
| 250+ | 313.82 грн |
| 500+ | 293.08 грн |
| IRFB4229PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 1nF 50V NP0 5% C1206 4k/reel (C1206N102J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 32120
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 1 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 1 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.60 грн |
| 100+ | 1.40 грн |
| 1000+ | 1.15 грн |
| ATmega88PA-AU Код товару: 27186
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: TQFP-32
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 8K байт внутрішньосистемно програмована Flash
Живлення, В: 2,7...5,5 В
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
УКТЗЕД: 8542 39 90 00
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: TQFP-32
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 8K байт внутрішньосистемно програмована Flash
Живлення, В: 2,7...5,5 В
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
УКТЗЕД: 8542 39 90 00
у наявності: 129 шт
- 115 шт - склад
- 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 135.00 грн |
| 10+ | 124.00 грн |
| IR2110SPBF Код товару: 25569
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-16
Напруга живлення Uc, В: 500 В
Вихідний струм Io ±, А: 2,0/2,0 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-16
Напруга живлення Uc, В: 500 В
Вихідний струм Io ±, А: 2,0/2,0 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 68pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N680J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 2032
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 68 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 68 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 8345 шт
- 6655 шт - склад
- 120 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 440 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 630 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.60 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| 10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 1953
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1713 шт
- 274 шт - склад
- 1439 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.75 грн |
| 1000+ | 0.65 грн |










