
IRFB4332PBF Infineon Technologies
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 101.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4332PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB4332PBF за ціною від 58.90 грн до 273.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PbF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 99nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: TO220AB |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PbF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 99nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PbF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V |
на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PbF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PBF Код товару: 52140
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 250 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 29 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |