Інші пропозиції SUP57N20-33-E3 за ціною від 106.88 грн до 412.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUP57N20-33-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 33A; 300W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220AB Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain current: 33A Drain-source voltage: 200V Gate charge: 130nC On-state resistance: 93mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W |
на замовлення 632 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V 57A 300W |
на замовлення 8320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUP57N20-33-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
З цим товаром купують
| IXGP16N60B2D1 Код товару: 122366
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB4332PBF Код товару: 52140
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 62.50 грн |
| 10+ | 58.90 грн |