на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP57N20-33-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUP57N20-33-E3 за ціною від 99.78 грн до 413.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP57N20-33-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A On-state resistance: 93mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP57N20-33-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A On-state resistance: 93mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP57N20-33-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V 57A 300W |
на замовлення 8517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP57N20-33-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP57N20-33-E3 Код товару: 172747
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|