Інші пропозиції SUP57N20-33-E3 за ціною від 108.56 грн до 484.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP57N20-33-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP57N20-33-E3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 33A; 300W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220AB Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain current: 33A Drain-source voltage: 200V Gate charge: 130nC On-state resistance: 93mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W |
на замовлення 632 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP57N20-33-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP57N20-33-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP57N20-33-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V 57A 300W |
на замовлення 8320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP57N20-33-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP57N20-33-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220ABGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP57N20-33-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP57N20-33-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| SUP57N20-33-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 202.28 грн |
| 5+ | 166.32 грн |
| 10+ | 156.11 грн |
| 25+ | 134.41 грн |
| 50+ | 124.03 грн |
| SUP57N20-33-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 33A; 300W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain current: 33A
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 93mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 33A; 300W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain current: 33A
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 93mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 252.36 грн |
| 5+ | 208.57 грн |
| 10+ | 191.95 грн |
| 25+ | 172.84 грн |
| 50+ | 159.55 грн |
| 100+ | 141.26 грн |
| 500+ | 122.15 грн |
| SUP57N20-33-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 269.76 грн |
| 65+ | 221.22 грн |
| 87+ | 163.18 грн |
| 88+ | 155.76 грн |
| 111+ | 114.18 грн |
| 500+ | 108.56 грн |
| SUP57N20-33-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 270.18 грн |
| 10+ | 221.56 грн |
| 25+ | 163.43 грн |
| 50+ | 156.00 грн |
| 100+ | 114.34 грн |
| 500+ | 108.73 грн |
| SUP57N20-33-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V 57A 300W
MOSFETs 200V 57A 300W
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 285.11 грн |
| 10+ | 157.19 грн |
| 100+ | 131.16 грн |
| 500+ | 129.09 грн |
| SUP57N20-33-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 359.86 грн |
| 44+ | 322.81 грн |
| 50+ | 299.00 грн |
| 100+ | 255.15 грн |
| 500+ | 204.36 грн |
| SUP57N20-33-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 409.29 грн |
| 50+ | 206.68 грн |
| 100+ | 188.57 грн |
| SUP57N20-33-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 484.85 грн |
| 10+ | 236.79 грн |
| 100+ | 203.77 грн |
| SUP57N20-33-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IXGP16N60B2D1 Код товару: 122366
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB4332PBF Код товару: 52140
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 250 V
Струм стоку Idd, A: 42 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 5860/99
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 250 V
Струм стоку Idd, A: 42 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 5860/99
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 62.50 грн |
| 10+ | 58.90 грн |








