Продукція > VISHAY > SUP57N20-33-E3
SUP57N20-33-E3

SUP57N20-33-E3 Vishay

72262.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP57N20-33-E3 Vishay

Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SUP57N20-33-E3 за ціною від 83.52 грн до 434.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Виробник : Vishay sup57n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+163.65 грн
95+129.76 грн
147+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Виробник : Vishay sup57n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+175.66 грн
10+138.64 грн
25+89.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4AFEFB5D02469&compId=SUP57N20-33-E3.pdf?ci_sign=4c2501191e4f9051827fa739d9955087ddd514e1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 33A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.58 грн
9+111.07 грн
24+104.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sup57n20.pdf MOSFETs 200V 57A 300W
на замовлення 8443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.23 грн
10+169.92 грн
100+144.71 грн
500+142.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4AFEFB5D02469&compId=SUP57N20-33-E3.pdf?ci_sign=4c2501191e4f9051827fa739d9955087ddd514e1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 33A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.89 грн
9+138.41 грн
24+125.67 грн
2500+120.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Виробник : Vishay sup57n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+341.55 грн
64+191.31 грн
74+166.83 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Виробник : VISHAY SILXS12380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+342.62 грн
10+191.39 грн
100+188.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Виробник : Vishay sup57n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+366.81 грн
10+203.23 грн
25+178.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Виробник : Vishay Siliconix sup57n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.19 грн
50+219.26 грн
100+200.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3
Код товару: 172747
Додати до обраних Обраний товар

sup57n20.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.