IRFB4710PBF

IRFB4710PBF


datasheetdew6de878df7wbenud.pdf
Код товару: 35455
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110
Монтаж: THT
у наявності 49 шт:

23 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+95 грн
10+ 88 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4710PBF за ціною від 79.16 грн до 226.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFB4710PBF IRFB4710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+103.69 грн
118+ 99.05 грн
250+ 95.08 грн
500+ 88.37 грн
1000+ 79.16 грн
Мінімальне замовлення: 113
IRFB4710PBF IRFB4710PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+226.16 грн
10+ 167.04 грн
100+ 122.69 грн
500+ 103.63 грн
1000+ 81.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB4710PBF IRFB4710PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4710-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFB4710PBF Виробник : International Rectifier Corporation irfb4710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356166c541e46 TO-220AB
на замовлення 124 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFB4710PBF IRFB4710PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB4710PBF IRFB4710PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356166c541e46 Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFB4710PBF IRFB4710PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4710_DataSheet_v01_01_EN-3363148.pdf MOSFET MOSFT 100V 75A 14mOhm 110nC
товар відсутній
IRFB4710PBF IRFB4710PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF3710PBF
Код товару: 43009
irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 870 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+40 грн
10+ 36 грн
100+ 32.4 грн
Гніздо USBA-1J SMD (KLS1-181C)
Код товару: 56604
KLS1-181C-datasheet.pdf
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
Опис: Гніздо USB тип A на плату кутове; монтаж: SMT (поверхневий)
Тип: USB-A
Вилка/гніздо: Гніздо
Мех.монтаж: на плату
Електр.монтаж: SMD
Орієнтація в просторі: Горизонтальний
у наявності: 1440 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3.5 грн
10+ 3.1 грн
100+ 2.7 грн
1000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2430
EXR_080421.pdf
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 3341 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+2.5 грн
10+ 1.9 грн
100+ 1.6 грн
1000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
1 MOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-1M0-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2222
rc_series_hitano-datasheet.pdf
1 MOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-1M0-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 1 MOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 4840 шт
очікується: 20530 шт
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.1 грн
1000+ 0.06 грн
10000+ 0.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
2,2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2R2-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2133
rc_series_20150401_1.pdf
2,2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2R2-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 2,2 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 3345 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.2 грн
1000+ 0.15 грн
10000+ 0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100