IRFB7434PBF Infineon
Код товару: 171783
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Infineon
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 195 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,25 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10820/216
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB7434PBF за ціною від 71.45 грн до 250.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB7434PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 21050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFB7434PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 21050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFB7434PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFB7434PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFB7434PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFB7434PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFB7434PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFB7434PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFB7434PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRFB7434PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRFB7434PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 97.50 грн |
| 10+ | 86.42 грн |
| 100+ | 84.11 грн |
| 500+ | 77.42 грн |
| IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 97.50 грн |
| 163+ | 86.42 грн |
| 168+ | 84.11 грн |
| 500+ | 77.42 грн |
| IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 168.59 грн |
| 500+ | 152.20 грн |
| 1000+ | 140.49 грн |
| IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 168.59 грн |
| 500+ | 152.20 грн |
| IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 168.59 грн |
| 500+ | 152.20 грн |
| 1000+ | 140.49 грн |
| IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 168.59 грн |
| 500+ | 152.20 грн |
| 1000+ | 140.49 грн |
| IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 214.75 грн |
| 50+ | 103.65 грн |
| 100+ | 93.65 грн |
| 500+ | 71.45 грн |
| IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 250.81 грн |
| 10+ | 142.48 грн |
| IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC
MOSFETs 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1129 шт
- 1043 шт - склад
- 25 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| UF4007 Код товару: 17804
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Зворотна напруга Vrr, В: 1000 В
Середній струм Iav, А: 1 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 75 ns
Примітка: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Монтаж: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Зворотна напруга Vrr, В: 1000 В
Середній струм Iav, А: 1 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 75 ns
Примітка: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Монтаж: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
у наявності: 4369 шт
- 3844 шт - склад
- 260 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 117 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 148 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| IRF4905PBF Код товару: 22366
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1884 шт
- 1750 шт - склад
- 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 41 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| 220uF 25V ESX 8x12mm (low imp., 5000год.ин) (ESX221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 31682
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 6073 шт
- 5977 шт - склад
- 61 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 35 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
| TZMC15 15V 0.5W 5% Код товару: 57720
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Потужність Pd, Вт: 0,5 Вт
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Потужність Pd, Вт: 0,5 Вт
Монтаж: SMD
у наявності: 1032 шт
- 771 шт - склад
- 95 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 63 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 103 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.20 грн |









