Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB7434PBF Infineon
IRFB7434PBF

IRFB7434PBF Infineon

Infineon-IRFB7434-DS-v01_02-EN.pdf
Код товару: 171783
Виробник: Infineon
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
Монтаж: THT
у наявності 280 шт:
210 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+68.5 грн
10+ 61.4 грн
100+ 54.9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB7434PBF за ціною від 44.79 грн до 194.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
242+48.41 грн
252+ 46.47 грн
500+ 44.79 грн
Мінімальне замовлення: 242
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.98 грн
10+ 106.53 грн
100+ 94.57 грн
500+ 85.39 грн
1000+ 68.4 грн
3000+ 64.31 грн
5000+ 62.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
91+128.82 грн
103+ 114.38 грн
115+ 101.54 грн
500+ 91.69 грн
1000+ 73.44 грн
3000+ 69.05 грн
5000+ 66.84 грн
Мінімальне замовлення: 91
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7434PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.57 грн
8+ 103.36 грн
22+ 97.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB7434_DS_v01_02_EN-1840543.pdf MOSFET 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.51 грн
10+ 122.53 грн
100+ 92.57 грн
500+ 83.24 грн
1000+ 73.92 грн
2000+ 69.92 грн
5000+ 68.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0006155718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+168.08 грн
10+ 127.74 грн
100+ 106.08 грн
500+ 89.49 грн
1000+ 72.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Виробник : Infineon Technologies irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a43e1e55 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.56 грн
50+ 130.11 грн
100+ 107.06 грн
500+ 85.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7434PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.53 грн
3+ 167.7 грн
8+ 124.03 грн
22+ 116.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRFB7434PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb7434-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094		 irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 13324 шт
очікується: 50 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+30 грн
10+ 29 грн
100+ 28 грн
1000+ 27 грн
IRF1404PBF
Код товару: 31360		 irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 825 шт
очікується: 3 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+48 грн
10+ 44 грн
100+ 39.6 грн
IRFB3307ZPBF
Код товару: 37782		 irfs3307zpbf-datasheet.pdf
IRFB3307ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності: 147 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+58 грн
10+ 53.5 грн
SR1060L
Код товару: 160640		 sr1040l_sr10100l-datasheet.pdf
SR1060L
Виробник: Yangjie/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотня напруга, Vrrm: 60 V
Прямий струм (per leg), If: 10 А
Падіння напруги, Vf: 0,48 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 38 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+16 грн
10+ 14.4 грн
10uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 14518		 EXR_080421.pdf
10uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 3689 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.3 грн
100+ 0.9 грн
1000+ 0.7 грн
Мінімальне замовлення: 3