
IRFB7440PBF Infineon Technologies
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 32.13 грн |
50+ | 31.81 грн |
100+ | 31.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7440PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB7440PBF за ціною від 35.67 грн до 128.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFB7440PBF Код товару: 150169
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 208A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 208A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IRFB7440PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
IRFB7440 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |