Інші пропозиції IRFB7440PBF за ціною від 37.50 грн до 162.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB7440PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7440PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7440PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7440PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7440PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7440PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 38032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7440PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 208A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7440PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7440PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W |
на замовлення 627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7440PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
на замовлення 2058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 276+ | 51.26 грн |
| 279+ | 50.74 грн |
| 297+ | 47.64 грн |
| 500+ | 45.47 грн |
| 1000+ | 40.52 грн |
| IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 51.39 грн |
| 50+ | 50.86 грн |
| 100+ | 47.76 грн |
| 500+ | 45.59 грн |
| 1000+ | 40.62 грн |
| IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 55.17 грн |
| 2000+ | 52.77 грн |
| IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 55.17 грн |
| 2000+ | 52.77 грн |
| IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 449+ | 78.78 грн |
| 500+ | 70.91 грн |
| 1000+ | 65.39 грн |
| IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 38032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 449+ | 78.78 грн |
| 500+ | 70.91 грн |
| 1000+ | 65.39 грн |
| 10000+ | 56.22 грн |
| IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 113.29 грн |
| 6+ | 75.51 грн |
| 10+ | 55.15 грн |
| 50+ | 48.36 грн |
| IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
Description: INFINEON - IRFB7440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 130.75 грн |
| 13+ | 66.52 грн |
| IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W
MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.70 грн |
| 10+ | 98.89 грн |
| 100+ | 58.22 грн |
| 500+ | 47.15 грн |
| 1000+ | 42.22 грн |
| 2000+ | 39.54 грн |
| 5000+ | 37.50 грн |
| IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.55 грн |
| 50+ | 74.89 грн |
| 100+ | 66.96 грн |
| 500+ | 49.80 грн |
| 1000+ | 45.61 грн |
| 2000+ | 42.08 грн |
З цим товаром купують
| CRG40T60AN3H Код товару: 189198
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CRMICRO
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 280 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 46,8/147,7
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 280 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 46,8/147,7
у наявності: 250 шт
- 129 шт - склад
- 73 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 48 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 70.00 грн |
| 10+ | 65.00 грн |
| Автоматичний перемикач введення резерву 2P + 230V 125A (TOQ5-125/2P - TOMZN) Код товару: 188204
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TOMZN
Пасивні компоненти > Автоматичні вимикачі, АВР, ПЗВ
Опис: Однофазний автоматичний перемикач джерела живлення на рейку DIN 35mm. Струм 125А. Напруга живлення: 220-230VAC/50/60Hz. Час перемикання: 50mS. Підтримує автоматичний або ручний режим перемикання. Габарити: 105,5x75,5x104 mm.
Вид виробу: АВР
Сила струму: 125 A
Пасивні компоненти > Автоматичні вимикачі, АВР, ПЗВ
Опис: Однофазний автоматичний перемикач джерела живлення на рейку DIN 35mm. Струм 125А. Напруга живлення: 220-230VAC/50/60Hz. Час перемикання: 50mS. Підтримує автоматичний або ручний режим перемикання. Габарити: 105,5x75,5x104 mm.
Вид виробу: АВР
Сила струму: 125 A
у наявності: 198 шт
- 178 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1050.00 грн |
| 10+ | 984.40 грн |
| 100+ | 928.40 грн |









