Продукція > VISHAY > IRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF

IRFB9N65APBF VISHAY

VISH-S-A0013276648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.07 грн
10+146.31 грн
100+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB9N65APBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFB9N65APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm.

Інші пропозиції IRFB9N65APBF за ціною від 89.10 грн до 300.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Виробник : Vishay Semiconductors 91104.pdf MOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.70 грн
10+233.91 грн
25+159.92 грн
100+137.41 грн
250+133.53 грн
1000+132.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF
Код товару: 100724
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irfb9n65apbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 650 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+99.00 грн
10+89.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Виробник : Vishay 91104.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Виробник : Vishay 91104.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Виробник : Vishay 91104.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Виробник : Vishay Siliconix 91104.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.