Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFBC20PBF
IRFBC20PBF

IRFBC20PBF

irfbc20.pdf
Код товару: 34302
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFBC20PBF за ціною від 37.82 грн до 236.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.72 грн
256+55.17 грн
261+54.27 грн
500+49.59 грн
1000+41.88 грн
2000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.86 грн
50+55.30 грн
100+54.40 грн
500+49.70 грн
1000+41.98 грн
2000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY IRFBC20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.93 грн
10+66.86 грн
50+61.75 грн
100+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.90 грн
136+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay Siliconix irfbc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.18 грн
50+113.63 грн
100+102.63 грн
500+78.24 грн
1000+72.43 грн
2000+67.54 грн
5000+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY VISH-S-A0019267795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay Semiconductors irfbc20.pdf MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF irfbc20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
254+55.72 грн
256+55.17 грн
261+54.27 грн
500+49.59 грн
1000+41.88 грн
2000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF irfbc20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+55.86 грн
50+55.30 грн
100+54.40 грн
500+49.70 грн
1000+41.98 грн
2000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.93 грн
10+66.86 грн
50+61.75 грн
100+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF irfbc20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+110.90 грн
136+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF irfbc20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.18 грн
50+113.63 грн
100+102.63 грн
500+78.24 грн
1000+72.43 грн
2000+67.54 грн
5000+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF VISH-S-A0019267795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBC20PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF irfbc20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.