Продукція > VISHAY > IRFBC20PBF
IRFBC20PBF

IRFBC20PBF Vishay

91106.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBC20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFBC20PBF за ціною від 35.86 грн до 112.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+81.61 грн
50+80.79 грн
100+78.82 грн
500+73.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : VISHAY IRFBC20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.18 грн
24+37.93 грн
66+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+86.99 грн
142+86.12 грн
146+84.02 грн
500+78.40 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.68 грн
11+76.92 грн
100+75.35 грн
500+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : VISHAY IRFBC20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.01 грн
24+47.27 грн
66+43.04 грн
5000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay Siliconix irfbc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.84 грн
50+76.42 грн
100+73.69 грн
500+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay Semiconductors irfbc20.pdf MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.44 грн
10+95.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF
Код товару: 34302
Додати до обраних Обраний товар

irfbc20.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.