Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFBC20PBF
IRFBC20PBF

IRFBC20PBF

irfbc20.pdf
Код товару: 34302
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFBC20PBF за ціною від 50.97 грн до 223.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.59 грн
50+102.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY VISH-S-A0019267795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.22 грн
10+104.20 грн
100+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay Semiconductors irfbc20.pdf MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.48 грн
10+92.20 грн
100+64.14 грн
5000+62.87 грн
10000+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay Siliconix irfbc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.90 грн
50+107.91 грн
100+97.48 грн
500+74.30 грн
1000+68.79 грн
2000+64.15 грн
5000+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF irfbc20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
277+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF irfbc20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.59 грн
50+102.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF VISH-S-A0019267795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBC20PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+145.22 грн
10+104.20 грн
100+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF irfbc20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+171.48 грн
10+92.20 грн
100+64.14 грн
5000+62.87 грн
10000+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF irfbc20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+223.90 грн
50+107.91 грн
100+97.48 грн
500+74.30 грн
1000+68.79 грн
2000+64.15 грн
5000+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.