Продукція > VISHAY > IRFBC20PBF
IRFBC20PBF

IRFBC20PBF Vishay


91106.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 15
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBC20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm.

Інші пропозиції IRFBC20PBF за ціною від 31.12 грн до 93.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
325+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 325
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : VISHAY IRFBC20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.17 грн
8+ 46.67 грн
10+ 41.18 грн
24+ 34.32 грн
65+ 32.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : VISHAY IRFBC20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.41 грн
5+ 58.16 грн
10+ 49.41 грн
24+ 41.18 грн
65+ 38.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay Semiconductors irfbc20.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay Siliconix irfbc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.09 грн
50+ 68.74 грн
100+ 54.47 грн
500+ 43.32 грн
1000+ 35.29 грн
2000+ 33.22 грн
5000+ 31.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+93.87 грн
10+ 91.65 грн
100+ 90.17 грн
500+ 81.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFBC20PBF IRFBC20PBF
Код товару: 34302
irfbc20.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Виробник : Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній