Технічний опис IRFBC30APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFBC30APBF за ціною від 57.69 грн до 269.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFBC30APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFBC30APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFBC30APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFBC30APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFBC30APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFBC30APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFBC30APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFBC30APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFBC30APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 550+ | 96.27 грн |
| IRFBC30APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 550+ | 96.73 грн |
| IRFBC30APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 145.27 грн |
| 5+ | 102.66 грн |
| 10+ | 80.60 грн |
| 50+ | 57.69 грн |
| IRFBC30APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 90+ | 157.15 грн |
| IRFBC30APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 184.19 грн |
| 10+ | 124.99 грн |
| 100+ | 93.74 грн |
| IRFBC30APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH
MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.69 грн |
| 10+ | 116.72 грн |
| 100+ | 75.42 грн |
| 2000+ | 73.30 грн |
| IRFBC30APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.60 грн |
| 50+ | 131.55 грн |
| 100+ | 119.12 грн |
| 500+ | 91.34 грн |
| IRFBC30APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







