на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.42 грн |
| 10+ | 115.16 грн |
| 100+ | 80.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBC30ASPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBC30ASPBF за ціною від 57.5 грн до 141.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBC30ASPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBC30ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRFBC30ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFBC30ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRFBC30ASPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IRFBC30ASPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |