IRFBC30PBF

IRFBC30PBF Vishay


irfbc30pbf-datasheet.pdf
Код товару: 133046
Виробник: Vishay
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/31
Монтаж: THT
у наявності 100 шт:

75 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFBC30PBF за ціною від 42.30 грн до 263.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Виробник : Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+97.64 грн
50+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.65 грн
10+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Виробник : Vishay Semiconductors 91110.pdf MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH MOSFET
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.34 грн
10+97.29 грн
100+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Виробник : VISHAY IRFBC30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+148.55 грн
10+62.46 грн
24+45.06 грн
66+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Виробник : VISHAY IRFBC30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Виробник : Vishay Siliconix 91110.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.41 грн
50+128.56 грн
100+116.43 грн
500+89.31 грн
1000+82.90 грн
2000+78.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Виробник : Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Виробник : Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

LM324N
Код товару: 162910
Додати до обраних Обраний товар

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224 INSLS09156-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw LM324.pdf
LM324N
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW,MHz: 1,2 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 4
у наявності: 373 шт
261 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
38 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+11.00 грн
10+9.90 грн
100+8.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
330 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-07330KL-Yageo) (резистор SMD)
Код товару: 1749
Додати до обраних Обраний товар

pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
330 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-07330KL-Yageo) (резистор SMD)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 330 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 9952 шт
9938 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
100+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-510R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1735
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-510R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 510 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 1500 шт
1500 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується 15.07.2025
Кількість Ціна
100+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 100V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR100M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 1533
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
10uF 100V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR100M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 26.09.2025
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.60 грн
100+1.30 грн
1000+1.10 грн
10000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1526
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 9850 шт
1800 шт - склад
3250 шт - РАДІОМАГ-Львів
4800 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість Ціна
100+0.15 грн
1000+0.12 грн
10000+0.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.