на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 53.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBC40APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFBC40APBF за ціною від 50.50 грн до 196.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBC40APBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBC40APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBC40APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBC40APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBC40APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBC40APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFBC40APBF | Виробник : VISHAY |
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IRFBC40APBF Код товару: 41815
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AR Uds,V: 600 V Idd,A: 6,2 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1036/42 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
|
|
IRFBC40APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFBC40APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 15000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFBC40APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
товару немає в наявності |