Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFBC40APBF
IRFBC40APBF

IRFBC40APBF

datasheet_irfbc40a_to220.pdf
Код товару: 41815
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AR
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1036/42
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+50.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFBC40APBF за ціною від 64.42 грн до 231.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFBC40APBF IRFBC40APBF VISHAY iRfbc40A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.52 грн
5+97.57 грн
10+92.48 грн
50+81.45 грн
100+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.56 грн
10+109.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+166.33 грн
97+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF IRFBC40APBF VISHAY VISH-S-A0019267836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.60 грн
10+103.61 грн
100+91.27 грн
500+70.25 грн
1000+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay Semiconductors IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.73 грн
10+111.05 грн
100+88.81 грн
500+74.01 грн
1000+67.31 грн
2000+65.48 грн
5000+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay Siliconix IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.54 грн
50+111.33 грн
100+100.51 грн
500+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF VISHAY IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+168.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF iRfbc40A.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+121.52 грн
5+97.57 грн
10+92.48 грн
50+81.45 грн
100+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF 91112.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+147.56 грн
10+109.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF 91112.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
86+166.33 грн
97+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF VISH-S-A0019267836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBC40APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+191.60 грн
10+103.61 грн
100+91.27 грн
500+70.25 грн
1000+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+218.73 грн
10+111.05 грн
100+88.81 грн
500+74.01 грн
1000+67.31 грн
2000+65.48 грн
5000+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+231.54 грн
50+111.33 грн
100+100.51 грн
500+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF 91112.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf
Виробник: VISHAY
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.