Продукція > VISHAY > IRFBC40ASPBF
IRFBC40ASPBF

IRFBC40ASPBF VISHAY

sihfbc40.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+90.78 грн
10+86.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBC40ASPBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBC40ASPBF за ціною від 139.66 грн до 400.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Vishay Siliconix sihfbc40.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.14 грн
50+193.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Vishay Semiconductors sihfbc40.pdf MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.00 грн
10+206.38 грн
100+139.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+384.14 грн
50+193.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+400.00 грн
10+206.38 грн
100+139.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.