Продукція > VISHAY > IRFBC40ASTRLPBF
IRFBC40ASTRLPBF

IRFBC40ASTRLPBF Vishay


sihfbc40.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBC40ASTRLPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBC40ASTRLPBF за ціною від 104.25 грн до 386.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF Виробник : Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+104.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF Виробник : Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+111.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfbc40.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.83 грн
10+239.48 грн
100+171.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfbc40.pdf MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.23 грн
10+284.27 грн
25+244.98 грн
100+178.04 грн
250+177.30 грн
500+163.32 грн
800+145.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF Виробник : Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBF Виробник : VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfbc40.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBF Виробник : VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.