
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 27.51 грн |
23+ | 27.24 грн |
25+ | 26.99 грн |
100+ | 25.77 грн |
250+ | 23.62 грн |
500+ | 22.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBC40ASTRLPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBC40ASTRLPBF за ціною від 27.21 грн до 396.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |