Продукція > VISHAY > IRFBC40LCPBF

IRFBC40LCPBF VISHAY


IRFBC40LC.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+141.21 грн
10+95.82 грн
25+82.37 грн
50+77.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBC40LCPBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBC40LCPBF за ціною від 135.93 грн до 396.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Vishay Siliconix IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.00 грн
50+191.43 грн
100+174.50 грн
500+135.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Vishay Semiconductors IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.74 грн
10+204.77 грн
100+137.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Vishay 91114.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+381.00 грн
50+191.43 грн
100+174.50 грн
500+135.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+396.74 грн
10+204.77 грн
100+137.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF 91114.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.