Продукція > VISHAY > IRFBC40LCPBF
IRFBC40LCPBF

IRFBC40LCPBF Vishay

doc91114.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBC40LCPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBC40LCPBF за ціною від 60.46 грн до 357.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.65 грн
10+82.73 грн
15+64.44 грн
41+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.98 грн
10+103.10 грн
15+77.32 грн
41+72.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Виробник : Vishay 91114.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+195.30 грн
73+170.30 грн
100+169.73 грн
500+150.43 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Виробник : Vishay 91114.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+209.15 грн
50+182.39 грн
100+181.76 грн
500+161.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Виробник : Vishay Siliconix IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.22 грн
50+140.60 грн
100+134.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Виробник : Vishay Semiconductors IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.27 грн
10+155.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Виробник : Vishay 91114.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276579-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC40LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.